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原位TEM透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)

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更新時間：2024-07-23 07:58:46瀏覽次數(shù)：150次

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產(chǎn)品簡介

業(yè)界分辨率1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10nm

詳細(xì)介紹

業(yè)界分辨率

1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10 nm。

2．芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險方式，使芯片間的夾層僅約100~200 nm，超薄夾層大幅減少對電子束的干擾，可清晰觀察樣品的原子排列情況，液相環(huán)境可實現(xiàn)原子級分辨。

3．經(jīng)過特殊設(shè)計的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。


高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。

2．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實現(xiàn)納升級微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。


多場耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實現(xiàn)光、電、熱、流體多場耦合。


智能化軟件和自動化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．全流程配備精密自動化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實驗效率。


團(tuán)隊優(yōu)勢

1．團(tuán)隊帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨(dú)立設(shè)計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。

3．團(tuán)隊20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術(shù)支持。


技術(shù)參數(shù)


功能參數(shù)

桿體材質(zhì)


視窗膜厚


漂移率


適用電鏡


適用極靴


傾轉(zhuǎn)角


(HR)TEM/STEM


(HR)EDS/EELS/SAED


芯片池厚度


電流范圍


電壓范圍


液體流速


流速精度




應(yīng)用案例

圖片3.png


88888.png

金納米粒子原子分辨液相動態(tài)成像TEM（a）STEM （b）


99999.png

光催化析氫過程觀察活性位點(diǎn)原位生成過程

Real time imaging of photocatalytic active site formation during H2 evolution by in-situ TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.


10101.png

流體流動及擴(kuò)散對晶體生長形貌影響觀察

Efficient CO2 reduction MOFs derivatives transformation mechanism revealed by in-situ liquid phase TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.

10102.png

光照下環(huán)境氛圍對納米團(tuán)簇演變過程影響

Visualizing light-induced dynamic structural transformations of Au clusters-based photocatalyst via in situ TEM[J]. Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.


二維材料液相合成新生長模式的發(fā)現(xiàn)：三維生長和原子層剝離


關(guān)鍵詞：芯片
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