SiPM探測(cè)器硅光電倍增管（Siliconphotomultiplier，簡(jiǎn)稱SiPM)，是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)

詳細(xì)介紹

SiPM探測(cè)器

硅光電倍增管（Silicon photomultiplier，簡(jiǎn)稱SiPM)，是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成，SiPM單光子探測(cè)器具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。SiPM單光子探測(cè)器發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末，廣泛應(yīng)用于高能物理及核醫(yī)學(xué)（PET）等領(lǐng)域，代表著未來極微弱光探測(cè)器的發(fā)展方向。

SiPM單光子探測(cè)器主要參數(shù)：

有效面積	3mmX3mm
像元尺寸	15um
微孔數(shù)量	38800
探測(cè)效率	31% @ 430nm, ctrl=0.7V
暗計(jì)數(shù)率	125kHz/mm³
串?dāng)_幾率	18%
殘留脈沖幾率	5%
恢復(fù)時(shí)間	15ns
跨阻增益	150V/A
輸出帶寬	12.5MHz
偏置電壓	0-1V
輸入電壓	5VDC
功耗	350mW （typ.）
外觀尺寸	40mm×50mm×19.8mm
工作溫度	0-60^oC

SiPM單光子探測(cè)器應(yīng)用圖例：

流式細(xì)胞應(yīng)用 PMT和SiPM雙光子成像對(duì)比

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