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IC半導(dǎo)體級 SIO2

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產(chǎn)品型號SUNANO

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更新時間：2024-02-14 15:03:06瀏覽次數(shù)：128次

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產(chǎn)品簡介

簡要描述：產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片（SiO2）生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝直徑與公差：100#177;0.4mm摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼）晶向：lt;111gt;lt;100gt;電阻率：0.001-50（Ω?cm）可按客戶要求定制

詳細(xì)介紹

低維材料在線商城可為客戶訂制不同參數(shù)的二氧化硅氧化片，質(zhì)量優(yōu)良；氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數(shù)均按照國標(biāo)執(zhí)行。
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個*的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍：
1，刻蝕率測定
2，金屬打線測試
3，金屬晶圓
4，電性絕緣層

產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片（SiO2）
生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類型：N型(摻磷、砷、銻) P型（摻硼）
晶向：<111><100>
電阻率：0.001-50(Ω•cm) 可按客戶要求定制
工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)
現(xiàn)有規(guī)格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體

類型	1英寸	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	8英寸
單面拋光片	1英寸	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	8英寸
雙面拋光片	可定制	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	8英寸
二氧化硅片（SiO2）	不可定制	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	可定制
切割片、研磨片	可定制	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	不可定制
區(qū)熔本征高阻不摻雜硅片	可定制	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	不可定制
單晶硅棒	1英寸	2英寸	3英寸	4英寸	5英寸	6英寸	不可定制