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WZPQ2-E32-15埋入式電阻虹埋入式雙支熱電阻

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WZPQ2-E32-15埋入式電阻虹埋入式雙支熱電阻一、概述；虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻，WZPQ2-E32-15埋入式電阻，作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量氣輪機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中－50℃～500℃范圍內(nèi)的液體，蒸氣和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度

詳細(xì)介紹

WZPQ2-E32-15埋入式電阻虹埋入式雙支熱電阻

一、概述；
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻，WZPQ2-E32-15埋入式電阻，作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量氣輪機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中－50 ℃～ 500 ℃范圍內(nèi)的液體，蒸氣和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)：
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻溫度傳感器具有、高可靠、高穩(wěn)定、體積小、響應(yīng)快、互換性強(qiáng)、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于鋼鐵，電力等行業(yè)。電阻選用進(jìn)口電阻，質(zhì)量?jī)?yōu)良。
三、技術(shù)參數(shù)：
氣輪機(jī)用埋入式熱電阻應(yīng)用于定子線圈的溫度測(cè)量(渦輪機(jī)，氣輪機(jī))
可承受20 bars壓力
標(biāo)稱值-在0℃時(shí),阻值:100Ω
溫度系數(shù)α= 3850 ppm/K
誤差等級(jí)-據(jù)DIN IEC 751或NFC 42-231,或B級(jí)
溫度范圍-從-20℃至+200℃
電性能-測(cè)量電流從0.1mA至1mA
緣電阻大于等于1000 MΩ

了解更多資訊，請(qǐng)登錄“虹德測(cè)控”網(wǎng)站查詢。

一、概述；
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻，WZPQ2-E32-15埋入式電阻，作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量氣輪機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中－50 ℃～ 500 ℃范圍內(nèi)的液體，蒸氣和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)：
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻溫度傳感器具有、高可靠、高穩(wěn)定、體積小、響應(yīng)快、互換性強(qiáng)、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于鋼鐵，電力等行業(yè)。電阻選用進(jìn)口電阻，質(zhì)量?jī)?yōu)良。
三、技術(shù)參數(shù)：
氣輪機(jī)用埋入式熱電阻應(yīng)用于定子線圈的溫度測(cè)量(渦輪機(jī)，氣輪機(jī))
可承受20 bars壓力
標(biāo)稱值-在0℃時(shí),阻值:100Ω
溫度系數(shù)α= 3850 ppm/K
誤差等級(jí)-據(jù)DIN IEC 751或NFC 42-231,或B級(jí)
溫度范圍-從-20℃至+200℃
電性能-測(cè)量電流從0.1mA至1mA
緣電阻大于等于1000 MΩ

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一、概述；
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻，WZPQ2-E32-15埋入式電阻，作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量氣輪機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中－50 ℃～ 500 ℃范圍內(nèi)的液體，蒸氣和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)：
虹德測(cè)控氣輪機(jī)用埋入式熱電阻溫度傳感器具有、高可靠、高穩(wěn)定、體積小、響應(yīng)快、互換性強(qiáng)、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于鋼鐵，電力等行業(yè)。電阻選用進(jìn)口電阻，質(zhì)量?jī)?yōu)良。
三、技術(shù)參數(shù)：
氣輪機(jī)用埋入式熱電阻應(yīng)用于定子線圈的溫度測(cè)量(渦輪機(jī)，氣輪機(jī))
可承受20 bars壓力
標(biāo)稱值-在0℃時(shí),阻值:100Ω
溫度系數(shù)α= 3850 ppm/K
誤差等級(jí)-據(jù)DIN IEC 751或NFC 42-231,或B級(jí)
溫度范圍-從-20℃至+200℃
電性能-測(cè)量電流從0.1mA至1mA
緣電阻大于等于1000 MΩ

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