少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

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更新時(shí)間：2024-04-02 17:42:32瀏覽次數(shù)：111次

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束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

詳細(xì)介紹

MDPpro 850+

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

特點(diǎn) ：

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）

◇ SEMI標(biāo)準(zhǔn)：PV9-1110

◇ 測(cè)試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min

◇ 同時(shí)測(cè)量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇ 自動(dòng)幾何形狀識(shí)別： G12、M10晶磚和晶圓片

應(yīng)用 :

◇ 壽命 & 電阻率面掃描

◇ 晶體生長(zhǎng)監(jiān)控（即滑移線）

◇ 污染監(jiān)測(cè)

◇ 氧條紋/OSF環(huán)

◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇ 光束感應(yīng)電流（LBIC）

◇ 發(fā)射極層的方阻

◇ 更多…

技術(shù)規(guī)格 :

材料	單晶硅
晶錠尺寸	125 x 125至210 x 210 mm²，晶磚長(zhǎng)850 mm或更長(zhǎng)
晶圓尺寸	直徑可達(dá)300 mm
電阻率范圍	0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍
導(dǎo)電類別	p/n
可測(cè)量的參數(shù)	壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導(dǎo)率、電阻率等
默認(rèn)激光器	IR激光二極管（980 nm，不超過(guò)500 mW）和IR激光二極管（905 nm，不超過(guò)9000 mW）。可根據(jù)要求提供其他波長(zhǎng)
電腦	Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口
電力要求	100 – 250 V AC, 6 A
尺寸（寬高長(zhǎng)）	2560 × 1910 × 1440 mm
重量	約200 kg
認(rèn)證	根據(jù)ISO 9001準(zhǔn)則制造，符合CE要求