產(chǎn)品簡介：GSL-PECVD-300化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，基本溫度低，沉積速率快，在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

產(chǎn)品型號	GSL-PECVD-300化學氣相沉積
安裝條件	本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備實驗所需氣體氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場地：設備尺寸2200×2000mm×1500mm，承重1000kg以上 5、通風裝置：需要
主要特點	1、所需成膜溫度低 2、沉積速率快，應用廣泛 3、體積小，操作簡便 4、采用射頻為增強源易于控制 5、清理安裝便捷。 6、一體化觸摸屏控制
技術參數(shù)	1、系統(tǒng)采用單室筒式結構，手動前開門； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空有效尺寸為Φ300mm×300mm； 3、極限真空度：≤6.67x10-4Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用4L/S)；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，40分鐘可達到；停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa； 4、采用樣品在下，噴淋頭在上的電容式耦合方式進氣； 5、樣品加熱加熱溫度：500℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進行控溫； 6、噴淋頭尺寸：Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線連續(xù)可調（可根據(jù)工藝調整），并帶有標尺指數(shù)顯示； 7、沉積工作真空：0.133-133Pa（可根據(jù)工藝調整）； 8、射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配； 9、.氣體種類（用戶提供），使用質量流量控制器控制進氣。 10、系統(tǒng)設有尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。
產(chǎn)品規(guī)格	整機尺寸：1200x1500x1500mm；
標準配件	1	電源控制系統(tǒng)	1套
	2	真空機組	1套
	3	真空測量	1套