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沈陽科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地沈陽市
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更新時(shí)間:2023-06-30 20:28:15瀏覽次數(shù):141次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線高真空PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品簡介:高真空PECVD系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,鍍膜樣品為156*156mm基片(并向下兼容)。
產(chǎn)品型號(hào) | 高真空PECVD系統(tǒng) |
主要特點(diǎn) | 1、系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開門; 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口,并帶擋板,真空尺寸為300mm×300×280mm; 3、采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式 4、氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng),真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置 5、系統(tǒng)設(shè)有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤5 Pa; 2、樣品加熱加熱溫度:300℃,溫控精度:±1°C,采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫; 3、噴淋頭尺寸:200×200mm,噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào),并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示,采用金屬焊接波紋管+進(jìn)口直線導(dǎo)軌+進(jìn)口絲杠+進(jìn)口光軸方式,升降平穩(wěn)、無抖動(dòng),保證了電極與樣品的平行度; 4、 沉積工作真空:13-1300Pa; 5、射頻電源:頻率 13.56MHz,功率500W,全自動(dòng)匹配; 6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路氣體,共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。 |
標(biāo)準(zhǔn)配件 |
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可選配件 |
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