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深圳維爾克斯光電有限公司
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更新時間:2024-03-07 13:11:30瀏覽次數(shù):100次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線BATOP可飽和吸收體主要分為2個系列,透射式可飽和吸收體SA和共振可飽和吸收體RSA,都是應用于透射的方式產(chǎn)生鎖模激光,相對于可飽和吸收鏡利用布拉格反射鏡的工作方法,它們的特點是透射式,成本相對較低,而且可飽和吸收體SA的能量密度遠高于SESAM。透射式可飽和吸收體SA適用波長范圍為980-3000nm,尺寸從1.0 x 1.0~5.0 x 5.0mm,搭配多種不同的封裝基底。
980-3000nm可飽和吸收體,透射式共振,BATOP透射式可飽和吸收體
德國BATOP提供兩款用于透射式的可飽和吸收體,包括透過應用的SA可飽和吸收體和用于共振器件的透射型共振可飽和吸收體,它們能夠相對低成本地實現(xiàn)激光鎖模,應用于環(huán)形激光器。
而透射式共振可飽和吸收體RSA是BSTOP新推出的產(chǎn)品,其型號只有一款:RSA-1057-53-45-6ps-x。可用于1064nm的激光波長,吸收率A為53%,透過率T為45%,弛豫時間6ps。
可飽和吸收體SA的適用波長范圍從980nm到3000nm,弛豫時間從500fs~37ps,其尺寸從1.0 mm x 1.0 mm至5.0 mm x 5.0 mm,能夠兼容多種封裝基底。
RSA(Resonant Saturable Absorber in transmission)透射式共振可飽和吸收體
RSA透射式共振可飽和吸收體可用于環(huán)形激光器的被動鎖模,其方法與SA可飽和吸收體相似。目前只有一個標準型號,適用于1064nm的激光波長。
透射式共振可飽和吸收體RSA具有以下特性:
- 低強度時共振波長處的反射率為零。
- 共振以外所有波長的透射比為零。
- 在共振波長處,透過率隨脈沖通量的增大而增大。
- 飽和通量明顯低于SA可飽和吸收體,甚至低于一般的可飽和吸收鏡。
這些特性使得我們可以構造一個被動鎖模光纖環(huán)形激光器,激光波長固定在RSA的共振波長處,用于啟動cw鎖模的低功率閾值。
型號參數(shù):RSA-1057-53-45-6ps-x
? Resonance wavelength λ ~ 1057 nm ? τ=6 ps ? Low intensity absorptance A=53 %
? Low intensity transmittance T=45 % ? Low intensity reflectance R < 2 %
RSA-1057-53-45-6ps-x封裝底座&價格:
RSA封裝基底選項 | 規(guī)格 | 價格 |
無封裝 x=5.0-0 | ? Single chip, unmounted | € 624 |
| ? Batch of 4 unmounted chips | € 624 |
| ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
x = 5.0-25.0g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
x = 5.0-25.4g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
BATOP公司的可飽和吸收鏡(Saturable Absorber)系列產(chǎn)品除了SA可飽和吸收體和透射式共振可飽和吸收體RSA,還包括:SAM(Saturable Absorber Mirror半導體可飽和吸收鏡),SOC(Saturable Output Coupler可飽和吸收耦合輸出鏡),RSAM(Resonant SAM共振可飽和吸收鏡),SANOS(Saturable Noise Suppressor可飽和噪聲去除腔)。
SA(Saturable Absorber)- 透射式可飽和吸收體
與可飽和吸收鏡SESAM相比,可飽和吸收體SA沒有布拉格反射鏡,但他可以像可飽和吸收鏡一樣用于激光器的自啟動,被動鎖模。兩者的不同之處在于可飽和吸收體SA在透射模式下工作,它可以插入例如光纖環(huán)激光器中。SA的飽和能量密度遠高于SAM的飽和能量密度。
SA可飽和吸收體的特點是成本遠低于另一種常用的鎖模方法——SAM可飽和吸收鏡+布拉格反射鏡。一般應用于激光器的鎖模,還可用于>1600nm長波長半導體泵浦固體激光器的鎖模。
SA可飽和吸收體封裝基底&價格:
SA封裝基底選項 | 規(guī)格 | 價格 |
無封裝 x=5.0-0 | ? Single chip, unmounted | € 624 |
| ? Batch of 4 unmounted chips | € 624 |
| ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
x = 5.0-25.0g-c / 5.0-25.0g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
x = 5.0-25.4g-c / 5.0-25.4g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm | € 702 |
x = FC/PC / FC/APC | ? Mounted inside a 1 m long single mode fiber. | € 950 |
SA可飽和吸收體型號規(guī)格:
Wavelength region 980 nm ... 1090 nm: 1030 nm | 1064 nm
Wavelength region 1200 nm ... 1600 nm: 1340 nm | 1550 nm
Wavelength region 1600 nm ... 3000 nm: 2000 nm | 2800 nm
SA型號 | 規(guī)格 |
SA-1020-40-500fs-x | SAM: λ =1020nm, Absorptance 40%, τ ~ 500fs |
SA-1030-34-3ps-x | SAM: λ =1020nm, Absorptance 34%, τ ~ 3ps |
SA-1064-14-28ps-x | SAM: λ =1064nm, Absorptance 14%, τ ~ 28ps |
SA-1064-25-500fs-x | SAM: λ =1064nm, Absorptance 25%, τ ~ 500fs |
SA-1064-26-37ps-x | SAM: λ =1064nm, Absorptance 26%, τ ~ 37ps |
SA-1064-40-500fs-x | SAM: λ =1064nm, Absorptance 40%, τ ~ 500fs |
SA-1340-22-20ps-x | SAM: λ =1340nm, Absorptance 22%, τ ~ 20fs |
SA-1550-6-20ps-x | SAM: λ =1550nm, Absorptance 6%, τ ~ 20fs |
SA-1550-35-2ps-x | SAM: λ =1550nm, Absorptance 35%, τ ~ 2ps |
SA-1550-46-2ps-x | SAM: λ =1550nm, Absorptance 46%, τ ~ 2ps |
SA-2000-1-10ps-x | SAM: λ =2000nm, Absorptance 1%, τ ~ 10ps |
SA-2000-25-10ps-x | SAM: λ =2000nm, Absorptance 25%, τ ~ 10ps |
SA-2000-43-10ps-x | SAM: λ =2000nm, Absorptance 43%, τ ~ 10ps |
SA-2800-10-10ps-x | SAM: λ =2800nm, Absorptance 10%, τ ~ 10ps |
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