德國BATOP GmbH總部位于德國光谷——耶拿，BATOP自2003年成立以來一直專注于半導體非線性光學器件的發(fā)展，如用于激光器的可飽和吸收鏡，用于改善光學信號的可飽和噪聲抑制器，以及用于太赫茲生成和檢測的光電導天線。BATOP專注于在GaAs晶片上生長GaAs, AlAs, InAs材料的多層薄膜，并進行晶圓處理、器件封裝和測試，應用于各種光電器件之上。
德國BATOP專業(yè)生產(chǎn)制造各類可飽和吸收鏡，建立了可飽和吸收鏡標準品庫，其中可飽和吸收耦合輸出鏡SOC的型號主要以波長分類，其分為1040nm/1064nm/2000nm三種波段。 SOC耦合輸出鏡的結(jié)構(gòu)是由一個可飽和吸收鏡SAM+輸出耦合器組成，能夠應用于固態(tài)或光纖鎖模激光器。
BATOP公司可飽和吸收鏡（Saturable Absorber）系列產(chǎn)品包括：
SAM（Saturable Absorber Mirror） - 半導體可飽和吸收鏡
SOC（Saturable Output Coupler）- 可飽和吸收耦合輸出鏡
SA（Saturable Absorber）- 可飽和吸收體
RSAM（Resonant SAM）- 共振可飽和吸收鏡
SANOS（Saturable Noise Suppressor）- 可飽和噪聲去除腔
RSA（Resonant Saturable Absorber in transmission） - 共振可飽和吸收體
SOC（Saturable Output Coupler）- 可飽和吸收耦合輸出鏡
使用可飽和輸出耦合器(SOC) ，可以設置自啟動、被動鎖模或調(diào)Q二極管泵浦的固體激光器或光纖激光器。在使用SOC代替SAM進行被動鎖模的情況下，可以通過激光腔的二向色端鏡提供光泵功率。其布局非常簡單。SOC是可飽和吸收鏡(SAM)和輸出耦合器的組合。
SOC命名規(guī)則：
型號：SOC-λ-A-T-τ-x，例如RSAM-1064-27-x
? λ - laser wavelength - 波長
? A - low intensity absorption - 吸收率
? T - low intensity transmittance – 透過率
? τ - absorber relaxation - 弛豫時間
? x - mounting condition & price –封裝基底&價格
x=0，無封裝的裸片
x=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
x=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
x=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
x=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
x=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選
x=FC/PC with TEC，安裝在1米長光纖一端，且?guī)?span style="margin:0px;padding:0px;">TEC冷卻器
SOC可飽和吸收耦合輸出鏡的封裝底座&價格
以下為SOC鏡片裸片，鍍膜銅基底封裝，和光纖端口的價格：
| SOC封裝底座選項 | 規(guī)格 | 價格 |
| 無封裝的SOC
x=5.0-0 | ? Single chip， unmounted ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm ? Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 624 |
| 帶有封裝底座的SOC
x=5.0-12.7g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm ? Glued on a copper heat sink with 12.7 mm diameter and 4 mm center hole ? Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 702 |
| 帶有封裝底座的SOC
x=5.0-25.4g | ? Chip area 5.0 mm x 5.0 mm ? Glued on a copper heat sink with 25.4 mm diameter and 4 mm center hole ? Chip thickness standard: 625 µm，optional: 150 µm | € 702 |
| 帶有光纖封裝的SOC x=FC | ? SOC chip mounted on a single mode fiber cable with FC/PC connector ? free space output beam | € 871 |
可飽和吸收耦合輸出鏡SOC的分類：
Wavelength region 1010 nm ... 1100 nm: 1040 nm | 1064 nm
Wavelength region 1980 nm ... 2020 nm: 2000 nm
1040nm SOC可飽和吸收耦合輸出鏡 規(guī)格型號:
| SOC輸出耦合鏡型號 | 規(guī)格 |
| SOC-1040-2-3-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=2 %， Transmittance T=3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-3-0.4-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=3 %， Transmittance T=0.4 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-3-0.4-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=3 %， Transmittance T=4 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-5-5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=5 %， Transmittance T=5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-6-0.5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=6 %， Transmittance T=0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-6-2-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=6 %， Transmittance T=2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-7-2-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=7 %， Transmittance T=2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-8-0.6-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=8 %， Transmittance T=0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-8-6-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=8 %， Transmittance T=6 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1040-9-9-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=9 %， Transmittance T=9 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-11-3-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=11 %， Transmittance T=3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-14-10-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=14 %， Transmittance T =10%， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1040-17-5-1ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A=17 %， Transmittance T=5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1040-24-19-15ps-x | SOC：λ=1040 nm， Absorptance A =24 %， Transmittance T=19 %， Relaxation τ=15 ps |
1064nm，2000nm 可飽和吸收耦合輸出鏡SOC 規(guī)格型號：
| SOC輸出耦合鏡型號 | 規(guī)格 |
| SOC-1064-1-1-5ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =1 %， Transmittance T =1 %， Relaxation τ=5 ps |
| SOC-1064-1.8-2.2-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =1.8 %， Transmittance T =2.2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-2-0.3-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =2 %， Transmittance T =0.3 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-2.7-3.2-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =2.7 %， Transmittance T =3.2 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-4-0.5-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =4 %， Transmittance T =0.5 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-7-0.7-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =7 %， Transmittance T =0.7 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-8-6-1ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =8 %， Transmittance T =6 %， Relaxation τ=1 ps |
| SOC-1064-8-8-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =8 %， Transmittance T =8 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1064-9-13-17ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =9 %， Transmittance T =13 %， Relaxation τ=17 ps |
| SOC-1064-13-12-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =13 %， Transmittance T =12 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-1064-15-23-17ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =15 %， Transmittance T =23%， Relaxation τ=17ps |
| SOC-1064-21-13-20ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =21 %， Transmittance T =13 %， Relaxation τ=20 ps |
| SOC-1064-22-19-15ps-x | SOC：λ=1064nm， Absorptance A =22 %， Transmittance T =19 %， Relaxation τ=15 ps |
| SOC-2000-26-19-10ps-x | SOC：λ=2000nm， Absorptance A =26%， Transmittance T =19 %， Relaxation τ =10ps |
| SOC-2000-26-24-10ps-x-thin | SOC：λ=2000nm，A =26%，T =24%，τ =10ps，Chip thickness 140 µm for fiber butt coupling |
| SOC-2000-40-28-10ps-x | SOC：λ=2000nm， Absorptance A =40%， Transmittance T =28%， Relaxation τ =10ps |
