Cr:YAG晶體是Nd：YAG和其他摻雜Nd或Yb的0.8至1,2μm波長(zhǎng)激光器的調(diào)Q開(kāi)關(guān)的理想材料，其顯著特征之一是其高損傷閾值。V:YAG晶體是一種相對(duì)較新的可飽和吸收體和被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)的晶體材料，其光譜范圍為1064至1440 nm，這主要是因?yàn)槠浠鶓B(tài)非常高。在約1300nm處的吸收峰周?chē)奈战孛婧图ぐl(fā)態(tài)的吸收不明顯。Co：Spinel是一種新近開(kāi)發(fā)的材料，已被證明是發(fā)射1.2-1.6 µm......

詳細(xì)介紹

Cr4+:YAG晶體, V：YAG晶體, Co:Spinel晶體

Optogama公司提供了三款成熟的被動(dòng)調(diào)Q晶體：Cr:YAG crystals、V:YAG crystals、Co:Spinel crystals。

被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)晶體和可飽和吸收體一樣，可以被用作被動(dòng)調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器，其工作原理不同于主動(dòng)調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。通常，這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低，它們?cè)诰劢构馐惺褂脮r(shí)會(huì)進(jìn)一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。

Cr^{4 +}：YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長(zhǎng)在0.8至1,2μm激光器（Nd：YAG和其他摻雜Nd或Yb）Q開(kāi)關(guān)的理想材料。 Cr^{4 +}：YAG有一個(gè)顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm，在1060nm左右達(dá)到峰值，吸收峰截面積非常大。

V：YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對(duì)較新的晶體材料，適宜于1.06～1.44 μm激光發(fā)射,特別適應(yīng)于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近，激發(fā)態(tài)的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優(yōu)異的光學(xué)、力學(xué)和熱性能?？梢杂?span>Czochralski法生產(chǎn)。V：YAG晶體用于Nd：YAG、Nd：YAP、Nd：KGW、Nd：YVO 4等多種有源介質(zhì)中，可獲得結(jié)構(gòu)緊湊、性能優(yōu)良的被動(dòng)調(diào)Q激光器。

Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發(fā)展的材料，發(fā)射波長(zhǎng)范圍在1.2-1.6μm，已經(jīng)被證明是一種非常有效的被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)。它被廣泛用于對(duì)眼睛安全的Er：glass激光器（1.54 µm），并且在波長(zhǎng)1.44 µm和1.34 µm的激光器上得到驗(yàn)證。Co：Malo(Co：尖晶石)具有高吸收截面，使得Er：玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)的Q開(kāi)關(guān)，無(wú)需腔內(nèi)聚焦，可忽略激發(fā)態(tài)吸收，導(dǎo)致Q開(kāi)關(guān)的對(duì)比度高，即初始與飽和吸收信號(hào)的比率高于10。

Cr：YAG晶體主要特點(diǎn)：

-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值

-高穩(wěn)定化學(xué)性和可靠性

-導(dǎo)熱性好，壽命長(zhǎng)

-緊湊型無(wú)源Q開(kāi)關(guān)

-操作容易

Cr：YAG晶體主要應(yīng)用：

-用于激光測(cè)距儀，LIDAR和LIBS系統(tǒng)的無(wú)源調(diào)Q激光器

-需要短脈沖的激光系統(tǒng)。

Cr：YAG晶體技術(shù)特性：

晶體結(jié)構(gòu)	立方體
密度	4，56克/厘米3
熱膨脹系數(shù)	6.14×10-6 K-1
熱導(dǎo)率	11，2 Wm-1K-1
莫氏硬度	8,2
折射率	1,82@1064NM

Cr：YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格：

可用初始透射率	5-99%@1064 nm
初始傳輸誤差	±1%(大于80%)
通光孔徑	>90%
面尺寸公差	+0/-0.1毫米
平行度誤差	<10 arcsec
垂直度誤差	<10 arcmin
保護(hù)槽	<0,1 mm at 45?
AR膜層	r<0，15%@1064 nm
表面質(zhì)量	10-5 S-D
表面平整度	<λ/8@6328 nm
波前畸變	<λ/4@632,8
激光損傷閾值	>10 J/cm2@1064 nm，10 ns

Cr：YAG晶體產(chǎn)品型號(hào)

SKU	面尺寸	初始傳輸	增透膜	價(jià)格（RMB）
7279	?3毫米	20%	AR/Ar@1064NM	1900
7280	?3毫米	30%	AR/Ar@1064NM	1900
7281	?3毫米	40%	AR/Ar@1064NM	1900
7282	?3毫米	50%	AR/Ar@1064NM	1900
7283	?3毫米	60%	AR/Ar@1064NM	1900
7284	?3毫米	70%	AR/Ar@1064NM	1900
7285	?3毫米	80%	AR/Ar@1064NM	1900
7286	?3毫米	85%	AR/Ar@1064NM	1900
7287	?3毫米	90%	AR/Ar@1064NM	1900
7288	?3毫米	95%	AR/Ar@1064NM	1900
7289	?3毫米	98%	AR/Ar@1064NM	1900
7290	3x3毫米	20%	AR/Ar@1064NM	1900
7291	3x3毫米	30%	AR/Ar@1064NM	1900
7292	3x3毫米	40%	AR/Ar@1064NM	1900
7293	3x3毫米	50%	AR/Ar@1064NM	1900
7294	3x3毫米	60%	AR/Ar@1064NM	1900
7295	3x3毫米	70%	AR/Ar@1064NM	1900
7296	3x3毫米	80%	AR/Ar@1064NM	1900
7297	3x3毫米	85%	AR/Ar@1064NM	1900
7298	3x3毫米	90%	AR/Ar@1064NM	1900
7299	3x3毫米	95%	AR/Ar@1064NM	1900
7300	3x3毫米	98%	AR/Ar@1064NM	1900
7301	?6 mm	20%	AR/Ar@1064NM	2150
7302	?6 mm	30%	AR/Ar@1064NM	2150
7303	?6 mm	40%	AR/Ar@1064NM	2150
7304	?6 mm	50%	AR/Ar@1064NM	2150
7305	?6 mm	60%	AR/Ar@1064NM	2150
7306	?6 mm	70%	AR/Ar@1064NM	2150
7307	?6 mm	80%	AR/Ar@1064NM	2150
7308	?6 mm	85%	AR/Ar@1064NM	2150
7309	?6 mm	90%	AR/Ar@1064NM	2150
7310	?6 mm	95%	AR/Ar@1064NM	2150
7311	?6 mm	98%	AR/Ar@1064NM	2150

V：YAG晶體主要特點(diǎn)：

-高基態(tài)吸收

-不明顯激發(fā)態(tài)吸收

-Q開(kāi)關(guān)的高對(duì)比度

-良好的光學(xué)、力學(xué)和熱性能

-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)

V：YAG晶體主要應(yīng)用：

-用于激光測(cè)距儀、激光雷達(dá)和LIBS系統(tǒng)的被動(dòng)調(diào)Q激光器

V：YAG晶體技術(shù)特性：

晶體結(jié)構(gòu)	立方體
密度	4，56克/厘米3
熱膨脹系數(shù)	6.14×10-6 K-1
熱導(dǎo)率	11，2 Wm-1K-1
Mohs硬度	8,2
折射率	1,82@1064NM

V：YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格：

可用初始傳輸	30-98%@1340 nm
初始傳輸誤差	±1%(大于80%)
通光孔徑	>90%
面尺寸公差	+0/-0，1毫米
平行度誤差	<20 arcsec
垂直度誤差	<10 arcmin
保護(hù)槽	<0,1 mm at 45?
Ar涂層	r<0，2%@1310-1360 nm
表面質(zhì)量	10-5 S-D
表面平整度	<λ/8@6328 nm
波前畸變	<λ/4@632,8
激光損傷閾值	>10 J/cm2@1064 nm，10 ns

V：YAG晶體產(chǎn)品型號(hào)：

SKU	面尺寸	初始傳輸	價(jià)格（RMB）
7312	3x3毫米	30%	5100
7313	3x3毫米	40%	5100
7314	3x3毫米	50%	5100
7315	3x3毫米	60%	5100
7316	3x3毫米	70%	5100
7317	3x3毫米	80%	5100
7318	3x3毫米	85%	5100
7319	3x3毫米	90%	5100
7320	3x3毫米	95%	5100
7321	?5毫米	30%	5100
7322	?5毫米	40%	5100
7323	?5毫米	50%	5100
7324	?5毫米	60%	5100
7325	?5毫米	70%	5100
7326	?5毫米	80%	5100
7327	?5毫米	85%	5100
7328	?5毫米	90%	5100
7329	?5毫米	95%	5100

Co:Spinel晶體的主要特點(diǎn)：

-1.3至1.6m范圍內(nèi)的低光學(xué)損耗

-高光損傷閾值

Co:Spinel晶體的主要應(yīng)用：

-無(wú)源Q開(kāi)關(guān)Er：玻璃@1.54m

Co:Spinel晶體的技術(shù)特性：

晶體結(jié)構(gòu)	立方體
密度	3，58克/厘米3
熱膨脹系數(shù)	6,14×10-6 K-1
熱導(dǎo)率	17 Wm-1K-1
Mohs硬度	8
折射率	1,6-1,75

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品規(guī)格：

有效初裂	50-99%@1535 nm
初始傳輸誤差	±1%(大于80%)
有效孔徑	>90%
面尺寸公差	+0/-0.1毫米
平行度誤差	<20 arcsec
垂直度誤差	<10 arcmin
保護(hù)槽	<0,1 mm at 45?
AR膜層	r<0.15%@1535 nm
表面質(zhì)量	20-10 S-D
表面平整度	<λ/8@6328 nm
波前畸變	<λ/4@632，8 nm，通過(guò)透明光圈
激光損傷閾值	>8J/cm2@1535 nm，10 ns

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品型號(hào)：

SKU	面尺寸	初始傳輸	增透膜	價(jià)格（RMB）
7330	3x3毫米	70%	AR/Ar@1535NM	4150
7331	3x3毫米	80%	AR/Ar@1535NM	4150
7332	3x3毫米	85%	AR/Ar@1535NM	4150
7333	3x3毫米	90%	AR/Ar@1535NM	4150
7334	3x3毫米	92%	AR/Ar@1535NM	4150
7335	3x3毫米	95%	AR/Ar@1535NM	4150
7336	3x3毫米	97%	AR/Ar@1535NM	4150
7337	5x5毫米	70%	AR/Ar@1535NM	4600
7338	5x5毫米	80%	AR/Ar@1535NM	4600
7339	5x5毫米	85%	AR/Ar@1535NM	4600
7340	5x5毫米	90%	AR/Ar@1535NM	4600
7341	5x5毫米	92%	AR/Ar@1535NM	4600
7342	5x5毫米	95%	AR/Ar@1535NM	4600
7343	5x5毫米	97%	AR/Ar@1535NM	4600
7802	3x3毫米	98.5%@1522 nm	HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM	6400