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深圳維爾克斯光電有限公司


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集成薄膜濾光片的光電二極管

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品       牌

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更新時間:2024-02-07 13:52:33瀏覽次數(shù):122次

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產(chǎn)品簡介

OptoDiode濾光片光電二極管有效面積是100mm2,檢測范圍是1-80nm。集成薄膜濾光片的光電二極管采用薄膜沉積工藝,用于檢測太陽EUV輻射、軟X射線輻射測量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜

詳細介紹

AXUV100TF030光敏二極管,薄膜沉積工藝


集成薄膜濾光片的光電二極管存儲和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,在氮氣或真空是-20°C80°C,引線焊接溫度是260°C。

OptoDiode生產(chǎn)集成薄膜濾光片,用于檢測太陽EUV輻射、軟X射線輻射測量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜。美國OptoDiode還生產(chǎn)光學濾光片窗口、日光濾光片和多波長封裝組件。

OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管檢測范圍是1-80nm,有效面積是100mm2,發(fā)貨時帶有保護罩,可以避免元件受損。美國集成薄膜濾光片的光電二極管用于電子檢測,電壓直流反向值10伏,靈敏度0.09-0.15A/W,波長范圍是3-40nm。OptoDiode濾光片光電二極管采用薄膜沉積工藝。

OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管的型號

型號

零件編號

描述

有效面積mm2

響應率(A/W

波長(nm

檢測范圍(nm

AXUV100TF030

ODD-AXU-019

帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管

100

0.16

3

1-12

AXUV100TF400

ODD-AXU-002

帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管

100

0.15

40

18-80

SXUV100TF135

ODD-SXU-013

帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管

100

0.09

13.5

12-18


AXUV100TF400光敏二極管的特點

- 100平方毫米的有效面積

- 波長40納米靈敏度為0.15 A/W

- 檢測范圍:18納米至80納米

- 發(fā)貨時帶有保護罩  

AXUV100TF400光敏二極管10mmx10mm測試條件下,有效面積的典型值是100mm2。在40nm波長下靈敏度典型值是0.15A/W。當VR為±10mV時,分流電阻最小值為20歐姆,當電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓最小值是5V,典型值是10V。VR=0V時,電容的典型值是10nF,值是44nF。


AXUV100TF030光敏二極管的特點

- 100平方毫米的有效面積

- 3納米處的靈敏度為0.16 A/W

- 檢測范圍:1納米至12納米

- 發(fā)貨時帶有保護罩


AXUV100TF030光敏二極管在25°C時的電光特性如下。 在10mmx10mm測試條件下,有效面積的典型值是100mm2。在3nm波長下靈敏度典型值是0.16A/W。當VR為±10mV時,分流電阻最小值為20歐姆,當電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓最小值是5V,典型值是10V。VR=0V時,電容的典型值是10nF,值是44nF。

從典型的靈敏度圖可以看到從波長5nm開始靈敏度隨著波長的增加而減小。


SXUV100TF135光敏二極管的特點

- 100平方毫米的有效面積

- 在13.5納米處靈敏度為0.09 A/W

- 探測范圍12納米至18納米

- 發(fā)貨時帶有保護罩


SXUV100TF135光敏二極管在10mmx10mm測試條件下,有效面積的典型值是100mm2。在13.5nm波長下靈敏度最小值是0.08A/W,典型值是0.09A/W,值0.1A/W。當VR=15V時,暗電流典型值是8nA,值是25nA。當IR=1µA時,反向擊穿電壓最小值是25V。VR=0V時,電容的最小值是0.8nF,典型值是1nF,值是1.2nF。VR=12V時,電容的最小值是220pF,典型值是260pF,值是350pF。當RL=50Ω, VR=12V時,上升時間的典型值是30納秒。從波長與靈敏度的關系圖中可以看到在集成濾光片在13.5nm波長后靈敏度的值是下降的。






關鍵詞:顯微鏡

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