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Quantum Design China(Beijing)


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四電弧高溫單晶生長爐

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品       牌

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更新時間：2022-08-25 17:14:17瀏覽次數(shù)：260次

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經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：16條

所在地區(qū)：

產(chǎn)品簡介

日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長爐，采用的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質(zhì)活躍但熔點（一般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等......

詳細介紹

基本參數(shù)：


樣品腔：

溫度：3000℃

氣氛：Ar

工作壓強：5x10-6 Torr~1.1Atm

真空度：10-6 Torr

尺寸:直徑208*300H

材料:不銹鋼

冷卻:水冷


提拉棒：

提拉生長速度：0.1-39mm/hr

轉(zhuǎn)動速度:0-10rpm

行程：150mm


坩堝：

轉(zhuǎn)動速度：0-10rpm

行程：20mm


電弧電流：

樣品：25/30A（可調(diào)）

真空吸氣劑：25/30A（可調(diào)）


爐體：

重量：350Kg

尺寸：600W*700D*2155H


工作原理圖

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