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小型滑軌式PECVD系統(tǒng)BTF-1200C-S-SL-PECVD 實(shí)驗(yàn)室臭氧發(fā)生機(jī)

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更新時(shí)間:2023-05-30 09:58:35瀏覽次數(shù):147次

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主要特點(diǎn)微型滑軌式PECVD系統(tǒng),電源范圍寬:0-100W可調(diào);溫度范圍寬:100-1200度可調(diào);濺射區(qū)域?qū)挘赫芸烧{(diào);其精致小巧,性?xún)r(jià)比*,滑軌式設(shè)計(jì)使用滑軌爐實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫,是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用

主要特點(diǎn)

微型滑軌式PECVD系統(tǒng),電源范圍寬:0-100W可調(diào);溫度范圍寬:100-1200度可調(diào);濺射區(qū)域?qū)挘赫芸烧{(diào);其精致小巧,性?xún)r(jià)比*,滑軌式設(shè)計(jì)使用滑軌爐實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫,是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):

BTF-1200C-S-SL-PECVD

實(shí)驗(yàn)機(jī)理:

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。

技術(shù)參數(shù):

開(kāi)啟式真空管式滑軌爐

反應(yīng)腔體尺寸:Φ25、Φ50x1200mm

加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)

加熱區(qū)長(zhǎng)度:230mm

恒溫區(qū)長(zhǎng)度:100mm(±1℃)

工作溫度:1100℃

Z高溫度:1200℃

控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報(bào)警功能

控溫精度:±1℃

升溫速率:10℃/min

爐門(mén)結(jié)構(gòu):開(kāi)啟式

工作電源:AC220V /50HZ

額定功率:2.5KW

真空泵和閥門(mén)

采用KF25系列波紋管和手動(dòng)擋板閥;

真空度可達(dá)10-3torr;

數(shù)顯真空測(cè)試儀可直觀的顯示數(shù)值。

質(zhì)量流量計(jì)控制氣路系統(tǒng)(可來(lái)圖訂制)

內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計(jì)可準(zhǔn)確的控制氣體流量;

氣體流量范圍可選,誤差為±1.5%;

一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥;

不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動(dòng)控制混合氣體輸入。

射頻電源與匹配器

電源:?jiǎn)蜗?0/60Hz 220v±10%

加熱(功率)電源:2.5KW,25A

控制柜電源空氣開(kāi)關(guān):32A空氣開(kāi)關(guān)

薄膜生長(zhǎng)室溫度:室溫~ 1200℃

信號(hào)頻率13.56 MHz±0.005%

射頻功率輸出范圍:0~100W

外型尺寸:

爐體:550×380×600mm

爐體加滑軌1500x380x620mm

供氣及真空系統(tǒng):600×600×600mm

凈重:

100Kg

認(rèn)證和

CE認(rèn)證

號(hào):ZL.0 (產(chǎn)品 ,防偽必究)


智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(型號(hào):BTF-1200C-II-A

主要特點(diǎn):一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控

三溫區(qū)智能型等離子體化學(xué)沉積系統(tǒng)(BTF-1200C-III-500A

主要特點(diǎn):此款智能型等離子體增強(qiáng)化學(xué)沉積系統(tǒng)的高溫真空爐加熱腔體采用進(jìn)

連續(xù)進(jìn)出料等離子體增強(qiáng)回轉(zhuǎn)設(shè)備-BTF-1200C-RP-PECVD

主要特點(diǎn)該款設(shè)備是全自動(dòng)Plasma增強(qiáng)CVD系統(tǒng)(PECVD)

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