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天津百利鑫宇實(shí)驗(yàn)室設(shè)備有限公司

化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備各有各的用途,不可錯(cuò)搭使用

時(shí)間:2022-7-3閱讀:179
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各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備都有一定的使用范圍。每種實(shí)驗(yàn)設(shè)備,根據(jù)它的用途不同,有著不同的使用要求。因此,在使用各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備前都應(yīng)該明確它的要求及這種要求的原因。
有的玻璃實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以加熱用,如試管、燒杯、燒瓶、蒸發(fā)皿等;有的不能加熱,如量筒、集氣瓶、水槽等。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以做量具用。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備在實(shí)驗(yàn)裝置中起支撐作用。有些實(shí)驗(yàn)設(shè)備外觀很相似,容易混淆,應(yīng)該通過對(duì)比加以分辮?;瘜W(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備在做化學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)經(jīng)常用到,學(xué)會(huì)正確使用這些實(shí)驗(yàn)設(shè)備的方法,是十分重要的。
單層過渡金屬硫化物(TMDS)二維晶體納米材料,如二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)等,由于其具備直接帶隙(Eg=1.8eV)的半導(dǎo)體特性,相比于石墨烯連續(xù)能帶分布,該類材料被廣泛應(yīng)用在納米電子學(xué)、光電子學(xué)方面。
目前,實(shí)現(xiàn)MoS2二維晶體的可靠制備方法,包括剝離法,水熱合成法,物理氣相沉積法和化學(xué)氣相沉積法。其中,化學(xué)氣相沉積法較為適合用于制備大面積、高質(zhì)量的連續(xù)MoS2薄膜,以滿足工業(yè)上基于MoS2二維晶體材料的大規(guī)模光電子設(shè)備的制造。因此,大面積、高質(zhì)量的MoS2單層薄膜的可控制備,仍然是業(yè)界十分重視的前沿研究問題。
過渡金屬硫化物可以在SiO2/Si襯底上制備。如果直接觀察襯底表面,入射光線經(jīng)SiO2上下表面反射后,其干涉現(xiàn)象將使生長(zhǎng)在SiO2表面上的二維晶體樣品呈現(xiàn)不同的顏色襯度,因此可以采用直接觀察法來評(píng)估過渡金屬硫化物二維晶體樣品的大小。

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