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濟(jì)南友田機(jī)械設(shè)備有限公司
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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)FAS-380/18E 可控硅
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地濟(jì)南市
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更新時(shí)間：2022-10-13 22:32:19瀏覽次數(shù)：635次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線FUANSHI 可控硅儀器
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2
FUANSHI 可控硅儀器
可控硅調(diào)功器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ),以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器。簡(jiǎn)稱可控硅調(diào)功器。又稱晶閘管調(diào)功器,晶閘管調(diào)整器,晶閘調(diào)壓器,可控硅調(diào)壓器,可控硅調(diào)整器。具有效率高、無(wú)機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。
AEG Thyro-A 2A 400-495 HF RL3調(diào)功器,也稱之為電力調(diào)功器，可控硅調(diào)功器，晶閘管可控硅調(diào)功器，功率調(diào)功器，可控硅控制器，產(chǎn)地德國(guó)，濟(jì)南友田機(jī)械設(shè)備到貨可提供報(bào)關(guān)單
可控硅調(diào)功器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ),以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器。簡(jiǎn)稱可控硅調(diào)功器。又稱晶閘管調(diào)功器,晶閘管調(diào)整器,晶閘調(diào)壓器,可控硅調(diào)壓器,可控硅調(diào)整器。具有效率高、無(wú)機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。
AEG Thyro-A 2A 400-495 HF RL3調(diào)功器,也稱之為電力調(diào)功器，可控硅調(diào)功器，晶閘管可控硅調(diào)功器，功率調(diào)功器，可控硅控制器，產(chǎn)地德國(guó)，濟(jì)南友田機(jī)械設(shè)備到貨可提供報(bào)關(guān)單
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
FUANSHI 可控硅儀器
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
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