單晶硅清洗用水設(shè)備-北京多晶硅清洗用水設(shè)備

　　連續(xù)電除鹽(EDIElectro-de-ionization)技術(shù)是二十世紀(jì)八十年代以來逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，EDI技術(shù)已經(jīng)在電子、制藥和發(fā)電等行業(yè)被廣泛的應(yīng)用。超純水設(shè)備將離子交換樹脂充夾在陰/陽交換膜之間形成EDI單元，利用陰離子交換膜只允許陰離子透過，不允許陽離子透過，而陽離子交換膜只允許陽離子透過，不允許陰離子透過的特性，在直流電的推動(dòng)下，使淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進(jìn)入到濃水室而被從淡水中去除，從而得到超純水。

　　超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn)

　　1、連續(xù)運(yùn)行，產(chǎn)品水質(zhì)穩(wěn)定。

　　2、無須用酸堿再生。

　　3、不會(huì)因再生而停機(jī)。

　　4、節(jié)省了反沖和清洗用水。

　　5、以高產(chǎn)率產(chǎn)生超純水。

　　6、無再生污水，不須污水處理設(shè)施。

　　7、無須酸堿儲(chǔ)備和酸堿稀釋運(yùn)輸設(shè)施。

　　8、減小車間建筑面積。

　　9、使用安全可靠，避免工人接觸酸堿。

　　10、減低運(yùn)行及維修成本。

　　11、安裝簡單、安裝費(fèi)用低廉。

　　超純水設(shè)備進(jìn)水條件

　　氧化劑：活性氯(Cl2)小于0.05ppm，建議檢測不出;臭氧(O3)小于0.02ppm，建議檢測不出。

　　重金屬離子：小于0.01ppmFe、Mn、變價(jià)性金屬離子。

　　硅：小于0.5ppm，反滲透RO產(chǎn)水典型范圍是50～150ppb。

　　總CO2：小于5ppm，高于10ppm時(shí)，產(chǎn)水品質(zhì)很大程度依賴于CO2水平和pH值。

　　顆粒：建議直接采用反滲透RO產(chǎn)水，或經(jīng)1um濾芯過濾后的產(chǎn)水進(jìn)入EDI系統(tǒng)。

　　水源：反滲透RO產(chǎn)水，電導(dǎo)率：1-20S/cm。電導(dǎo)率：2-10S/cm，導(dǎo)電率：50S(NaCl)。PH值：5.5～9.5(pH7.0至8.0之間EDI有電導(dǎo)率性能)。

　　溫度：15～35℃，溫度在25℃。

　　進(jìn)水壓力：0.20～0.4MPa，D1端壓力比C1端壓力高0.05～0.1MPa，模塊壓力將取決于流量和溫度。

　　出水壓力：產(chǎn)水端(D2)壓力比濃水端(C2)壓力高0.05～0.1MPa。

　　硬度：小于1.0ppm(在90%回收率時(shí))，以CaCO3計(jì)。

　　有機(jī)物：TOC小于0.5ppm，建議檢測不出。