*的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），溫度可控型原位蒸發(fā)槍，溫度可達1350℃，適合用HPCVD法生長多層膜

·爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐，由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū)，其控溫精度可達±0.1℃

·雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風冷系統(tǒng)

·采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，表面涂有高溫氧化鋁涂層，可提高加熱效率，和延長使用壽命

·爐體開啟式設(shè)計，便于跟換爐管，并且?guī)в虚_啟斷電功能，保證操作安全

·單相208~240VAC

·功率9KW（需60A的空氣開關(guān)）

·三個加熱區(qū)，每個加熱區(qū)長度：300mm

·總加熱區(qū)長度：900mm

恒溫區(qū)長度：625mm(±2℃）

（三個溫區(qū)設(shè)置同樣的加熱溫度）

·工作溫度：1200℃（<1hr）

·連續(xù)工作溫度：100~1100℃

≤ 10°C /min

*的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中，精確地找到所需溫度，保證實驗精確性和重復(fù)性

·蒸發(fā)槍：采用鎢線圈加熱，氧化鋁坩堝裝料，其溫度可達1350℃，控溫精度±1℃

·坩堝的移動速度和移動距離通過步進電機驅(qū)動，可設(shè)定控制

·移動距離: 530mm （精度1mm）

·特殊設(shè)計樣品臺，帶有手動遮擋板，放置原料交替試導(dǎo)致所制備樣品污染

·可手動調(diào)節(jié)樣品臺在爐管中的位置

·可選擇水平樣品臺，或傾斜式樣品臺

·三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制，采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置30段升降溫程序

·歐陸儀表控制，控溫精度可達±0.1℃

·帶有超溫和斷偶報警

·三個K型熱偶（每個溫區(qū)1個）

·爐管，采用高純石英管，尺寸為Φ130（外）mm×Φ122（內(nèi)）mm×1200mm（長）

·配有2個氧化鋁管堵，防止熱輻射（加熱前管堵必須放入到爐管內(nèi)）

·可選購石英管堵，保證反應(yīng)環(huán)境潔凈

·防腐型復(fù)合真空計（皮拉尼和隔膜規(guī)）

·測量范圍：3.8E-5 ~ 1125 torr

·真空度：10E-2 torr（采用機械泵），10-E5 torr(采用分子泵)

可在本公司選用各種真空泵

配有4通道氣體流量控制系統(tǒng)，采用觸摸屏設(shè)定參數(shù)

設(shè)備采用水冷不銹鋼密封法蘭，所以配有循環(huán)水冷機

4000×600×1500m

·CE認證

·所有電器元件（≧24V）都通過了UL/MET/CSA認證

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