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IGBT開關(guān)時(shí)間損耗參數(shù)測(cè)試服務(wù)

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

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IGBT開關(guān)時(shí)間損耗參數(shù)測(cè)試服務(wù)長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有*的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。

詳細(xì)介紹

功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管	1	漏源間反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1	只測(cè)： -3.5kV～3.5kV
	1	漏源間反向擊穿電壓	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407	只測(cè)： -3.5kV～3.5kV
	2	通態(tài)電阻	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1	只測(cè)： 0～10k?,,0～1500A
	3	閾值電壓	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404	只測(cè)： -10V～10V
	4	漏極反向電流	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1	只測(cè)： -100mA～100mA
	5	柵極漏電流	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1	只測(cè)： -100mA～101mA
	6	體二極管壓降	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4	只測(cè)： 0A～1500A
	7	跨導(dǎo)	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2	只測(cè)： 1ms～1000s
	8	開關(guān)時(shí)間	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2	只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
	9	開關(guān)時(shí)間	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472	只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
	10	體二極管反向恢復(fù)時(shí)間	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測(cè)： 10ns～2µs
	11	體二極管反向恢復(fù)電荷	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測(cè)： 1nC～100µC
	12	柵極電荷	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3	只測(cè)： Qg：0.5nC～500nC
	13	單脈沖雪崩能量	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2	只測(cè)： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
	14	柵極串聯(lián)等效電阻	功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測(cè)試方法 JESD24-11:1996(R2002)	只測(cè)： 0.1Ω～50Ω
	15	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1	只測(cè)： Ph：0.1W～250W
	16	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161	只測(cè)： Ph：0.1W～250W
	17	輸入電容	半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10	只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz
	18	輸出電容	半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11	只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz
	19	反向傳輸電容	半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12	只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz
	20	老煉試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042	只測(cè)：條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
	21	老煉試驗(yàn)	溫度，反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017	只測(cè)： HTRB和HTGB試驗(yàn)
	22	間歇功率試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042	只測(cè)：條件D（間歇功率）
	23	穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042