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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME2N7002W數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書ME2N7002W中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)ME2N7002W

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-25 10:22:39瀏覽次數(shù)：132次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：代理商

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME2N7002WistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME2N7002W is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●負(fù)荷開關(guān)

●差示掃描量熱儀

● Simple Drive Requirement

● Small Package Outline

● ROHS Compliant

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開關(guān) 差示掃描量熱儀