點(diǎn)腐蝕檢測(cè)費(fèi)用，工業(yè)的發(fā)展，自然需要質(zhì)量的保證，為此金屬檢測(cè)就成為一門深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過(guò)檢測(cè)吃透金屬的特性，才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品。應(yīng)力腐蝕檢測(cè)相關(guān)問(wèn)題一起來(lái)看下文介紹。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過(guò)螺絲、鉚接、焊接等方式連接的，這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會(huì)有狹窄的縫隙?？p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進(jìn)入，使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池，縫隙內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)的局部腐蝕。
在日本,的不銹鋼,輸出的輸出18-8cr鎳不銹鋼含鈦在美國(guó)僅占1 ~ 2%的鉻鎳不銹鋼的輸出,而中國(guó)仍占90%以上的鉻鎳不銹鋼的輸出。這不僅反映了我國(guó)不銹鋼生產(chǎn)和使用的不合理，也反映了我國(guó)不銹鋼生產(chǎn)和使用中鋼結(jié)構(gòu)的落后狀況。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
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