不銹鋼點(diǎn)腐蝕檢測市場價(jià)格，工業(yè)的發(fā)展，自然需要質(zhì)量的保證，為此金屬檢測就成為一門深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過檢測吃透金屬的特性，才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品，隨著現(xiàn)代檢測技術(shù)的不斷發(fā)展，各種新型的檢測技術(shù)也隨之被晶間腐蝕檢測挖掘而出。
鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因?yàn)樗麄兊挠H和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個(gè)小時(shí)反應(yīng)Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內(nèi)，加熱不會形成碳化鉻。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強(qiáng)度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強(qiáng)度不足時(shí)，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強(qiáng)度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點(diǎn)蝕性能。
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