不銹鋼晶間腐蝕檢測(cè)服務(wù)，采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線(xiàn)特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過(guò)對(duì)材料的金屬腐蝕檢測(cè)，能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時(shí)大多經(jīng)過(guò)固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C，視鋼材類(lèi)型而定)，保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時(shí)，Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時(shí)，鋼中的碳處于過(guò)飽和狀態(tài)。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設(shè)備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個(gè)溫度范圍內(nèi)),鋼中的過(guò)飽和碳將擴(kuò)散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過(guò)螺絲、鉚接、焊接等方式連接的，這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會(huì)有狹窄的縫隙?？p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進(jìn)入，使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池，縫隙內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)的局部腐蝕。
不銹鋼晶間腐蝕檢測(cè)服務(wù)針對(duì)以上內(nèi)容大家都了解了嗎？在實(shí)際的生產(chǎn)實(shí)踐中金屬腐蝕檢測(cè)應(yīng)根據(jù)具體情況，依據(jù)可靠性和適用性的原則選擇合適的方法，從而達(dá)到高效、準(zhǔn)確的檢驗(yàn)?zāi)康摹?/div>
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