點(diǎn)腐蝕檢測(cè)需要多少錢，江蘇隱石檢測(cè)擁有2000平米的現(xiàn)代化綜合性的實(shí)驗(yàn)室，專業(yè)從事金屬腐蝕檢測(cè)，擁有自己的數(shù)控加工中心及的檢測(cè)設(shè)備100余臺(tái)，為更精確的提供檢測(cè)數(shù)據(jù)奠定基礎(chǔ)。今天就為大家詳細(xì)講解下晶間腐蝕檢測(cè)相關(guān)內(nèi)容。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強(qiáng)氧化介質(zhì)中也會(huì)發(fā)生晶間腐蝕。這時(shí)，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)p雜質(zhì)達(dá)到100ppm或Si雜質(zhì)達(dá)到1000 ~ 2000ppm時(shí)，它們會(huì)在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強(qiáng)氧化劑介質(zhì)的作用下會(huì)溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會(huì)出現(xiàn)晶間腐蝕，因?yàn)樘己土仔纬闪肆滋蓟?，限制了磷向晶界的擴(kuò)散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對(duì)晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進(jìn)一步探討。
在某些合金介質(zhì)體系中，常發(fā)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(zhì)(如曝氣海水)或強(qiáng)氧化介質(zhì)(如濃硝酸)等特定腐蝕介質(zhì)中可能產(chǎn)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。
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