不銹鋼臨界縫隙腐蝕溫度檢測中心，江蘇隱石檢測擁有2000平米的現(xiàn)代化綜合性的實(shí)驗(yàn)室，專業(yè)從事金屬腐蝕檢測，擁有自己的數(shù)控加工中心及的檢測設(shè)備100余臺，為更精確的提供檢測數(shù)據(jù)奠定基礎(chǔ)。今天就為大家詳細(xì)講解下金屬腐蝕檢測相關(guān)內(nèi)容。
鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因?yàn)樗麄兊挠H和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個(gè)小時(shí)反應(yīng)Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內(nèi)，加熱不會形成碳化鉻。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼，即使在高溫下迅速冷卻，也會析出碳化物，造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時(shí)，亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6，使鉻分布趨于均勻，消除了晶間腐蝕的傾向。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
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