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晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的，這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會有狹窄的縫隙?？p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進入，使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池，縫隙內(nèi)發(fā)生較強的局部腐蝕。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶間腐蝕是一種局部腐蝕。沿金屬晶界向內(nèi)延伸的腐蝕。這主要是由于晶粒表面和內(nèi)部的化學成分不同，以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應力的存在。晶間腐蝕破壞了晶粒間的結(jié)合，大大降低了金屬的機械強度。
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