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北京歐波同
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更新時間：2022-08-22 15:43:36瀏覽次數(shù)：306次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線Quattro-環(huán)境掃描場發(fā)射電鏡
Quattro的場發(fā)射電子槍（FEG）確保了優(yōu)異的分辨率，通過不同的探測器選項，可以調(diào)節(jié)不同襯度信息，包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。來自多個多個探測器和探測器區(qū)分的圖像可以同步采集和顯示，使得單次掃描即可獲得樣品信息，從而降低電子束敏感樣品的束曝光并實現(xiàn)真正額動態(tài)試驗。Quattro的三種真空模式使得系統(tǒng)靈活性，可以容納泛的樣品類型，無論樣品導(dǎo)電、絕緣、潮濕或是在高溫條件下，均可獲得可靠的分析結(jié)果。Quattro*的硬件有用戶向?qū)еС郑粌H可以指導(dǎo)操作者，還可以直接進(jìn)行交換，輕松縮短結(jié)果獲取時間。
金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸（伴隨加熱或冷卻）
發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍
分辨率：
型號 Quattro C Quattro S 高真空 30 kV（STEM） 0.8 nm 30 kV（SE） 1.0 nm 1 kV（SE） 3.0 nm 高真空下減速模式 1 kV（BD+BSED） 3.0 nm 1 kV（BD+ICD） 2.1 nm 200 V（BD+ICD） 3.1 nm 低真空 30 kV（SE） 1.3 nm 3 kV（SE） 3.0 nm 30 kV（BSE） 2.5 nm 環(huán)境掃描模式 30 kV（SE） 1.3 nm
放大倍率：6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍：200 V ~ 30 kV
著陸電壓：20 eV~30 keV，電子束減速可選
探針電流范圍：1 pA ~ 200 nA，連續(xù)可調(diào)
樣品臺和樣品：
探測器系統(tǒng)：
同步檢測多達(dá)四種信號，包括
樣品室高真空二次電子探測器ETD
低真空二次電子探測器LVD
氣體SED（GSED，用于環(huán)境掃描模式）
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)（觀察樣品臺高度）
樣品導(dǎo)航彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™
珀爾帖臺集成式STEM，用于觀察濕薄樣品- WetSTEM™
控制系統(tǒng)：
操作系統(tǒng)：64位GUI（Windows 7）、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示：24寸LCD顯示器，WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面，可同時激活多達(dá)四個視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能
在自然狀態(tài)下對材料進(jìn)行預(yù)案為研究，具有環(huán)境真空模式（ESEM）的*高分辨率場發(fā)射掃描電鏡；
縮短樣品制備時間：低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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