Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

返回列表頁(yè)

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2021-06-29 16:33:21瀏覽次數(shù)：211次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  FIB雙束電鏡

全部產(chǎn)品列表

暫無(wú)信息

北京歐波同

經(jīng)營(yíng)模式：其他

商鋪產(chǎn)品：52條

所在地區(qū)：

詢價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

詳細(xì)介紹

新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是挑戰(zhàn)性的樣品。

Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn)：的材料對(duì)比度，的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描（APT）以及質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。

半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù)：

		Helios 5 CX	Helios 5 HP	Helios 5 UX	Helios 5 HX	Helios 5 FX
		樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像		最終樣品制備 (TEM薄片，APT)		STEM 亞納米成像與樣品制備
SEM	著陸電壓	20 eV~30 keV		20 eV~30 keV
	分辨率	0.6 nm@15 keV 1.0 nm@1 keV		0.6 nm@2 keV 0.7 nm@1 keV 1.0 nm@500 eV
STEM	分辨率@30 keV	0.7 nm		0.6 nm		0.3 nm
FIB制備過(guò)程	材料去除束流	65 nA	100 nA	65 nA
	最終拋光電壓	2 kV		500 V
TEM樣品制備	樣品厚度	50 nm	15 nm	7 nm
	自動(dòng)化	否	是	是
樣品處理	行程	110×110×65 mm	110×110×65 mm	150×150×10 mm	100×100×20 mm	100×100×20 mm+5軸（S）TEM Compustage
	快速進(jìn)樣器	手動(dòng)	自動(dòng)	手動(dòng)	自動(dòng)	自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM 樣品桿

材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù)：

		Helios 5 CX	Helios 5 UX
離子光學(xué)		具有卓越的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒	具有卓越的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒
	離子束電流范圍	1 pA – 100 nA	1 pA – 65 nA
	加速電圧	500 V – 30 kV	500 V – 30 kV
	水平視場(chǎng)寬度	在束重合點(diǎn)處為0.9 mm	在束重合處點(diǎn)為0.7 mm
	離子源壽命	1,000 小時(shí)	1,000 小時(shí)
		兩級(jí)差分抽吸	兩級(jí)差分抽吸
		飛行時(shí)間校準(zhǔn)	飛行時(shí)間校準(zhǔn)
		15孔光闌	15孔光闌
電子光學(xué)		Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒	Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒
		磁浸沒(méi)物鏡	磁浸沒(méi)物鏡
		高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流	高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流
電子束分辨率	工作距離下	0.6 nm @ 30 kV STEM	0.6 nm @ 30 kV STEM
		0.6 nm @ 15 kV	0.7 nm @ 1 kV
		1.0 nm @ 1 kV	1.0 nm @ 500 V (ICD)
		0.9 nm @ 1 kV 減速模式*
	在束流重合點(diǎn)	0.6 nm @ 15 kV	0.6 nm @ 15 kV
	在束流重合點(diǎn)	1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*	1.2 nm @ 1 kV
電子束參數(shù)	電子束流范圍	0.8 pA ~ 176 nA	0.8 pA ~ 100 nA
	加速電壓范圍	200 V ~ 30 kV	350 V ~ 30 kV
	著陸電壓	20 eV ~ 30 keV	20 eV ~ 30 keV
	水平視場(chǎng)寬度	2.3 mm @ 4 mm WD	2.3 mm @ 4 mm WD
探測(cè)器		Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (TLD-SE, TLD-BSE)
		Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (ICD)*
		Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測(cè)器 (MD)*
		樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測(cè)器 (ETD)
		紅外相機(jī)
		高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測(cè)器 (SE)*
		樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機(jī)*
		可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測(cè)器 (DBS)*
		可伸縮STEM 3+ 探測(cè)器*
		電子束流測(cè)量
樣品臺(tái)和樣品	樣品臺(tái)	高度靈活的五軸電動(dòng)樣品臺(tái)	壓電陶瓷驅(qū)動(dòng) XYR 軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái)
	XY	110 mm	150 mm
	Z	65 mm	10 mm
	R	360° (連續(xù))	360° (連續(xù))
	傾斜	-15° ~ +90°	-10° ~ +60°
	樣品高度	與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 85 mm	與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 55 mm
	樣品質(zhì)量	樣品臺(tái)任意位置 500 g	樣品臺(tái)任意位置 500 g
	樣品質(zhì)量	0° 傾斜時(shí) 5 kg	樣品臺(tái)任意位置 500 g
	樣品尺寸	直徑 110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)	直徑 150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)
		優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜	優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

更易于使用：

Helios 5 對(duì)所有經(jīng)驗(yàn)水平用戶而言都是最容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天，其系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作人員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。

提高了生產(chǎn)率：

Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的*自動(dòng)化功能，增強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定性允許無(wú)人值守甚至夜間操作，顯著提高樣品制備通量。

改善時(shí)間和結(jié)果：
Helios 5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH （閃調(diào)）技術(shù)。借助 FLASH 技術(shù)，您只需在用戶界面中進(jìn)行簡(jiǎn)單的鼠標(biāo)操作，系統(tǒng)即可“實(shí)時(shí)"進(jìn)行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡(jiǎn)化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言，F(xiàn)LASH 技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時(shí)間最多縮短 10 倍。

關(guān)鍵詞：工作臺(tái)