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Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

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更新時(shí)間：2021-06-29 16:33:21瀏覽次數(shù)：217次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

詳細(xì)介紹

        新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是挑戰(zhàn)性的樣品。


        Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn)：的材料對(duì)比度，的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描（APT）以及質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。

    半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù)：





    Helios 5 CX

    Helios 5 HP

    Helios 5 UX

    Helios 5 HX

    Helios 5 FX

     

    樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像

    最終樣品制備 (TEM薄片，APT)

    STEM 亞納米成像與樣品制備

    SEM

    著陸電壓

    20 eV~30 keV

    20 eV~30 keV

    分辨率

    0.6 nm@15 keV

    1.0 nm@1 keV

    0.6 nm@2 keV

    0.7 nm@1 keV

    1.0 nm@500 eV

    STEM

    分辨率@30 keV

    0.7 nm

    0.6 nm

    0.3 nm

    FIB制備過程

    材料去除束流

    65 nA

    100 nA

    65 nA

    最終拋光電壓

    2 kV

    500 V

    TEM樣品制備

    樣品厚度

    50 nm

    15 nm

    7 nm

    自動(dòng)化

    否

    是

    是

    樣品處理

    行程

    110×110×65 mm

    110×110×65 mm

    150×150×10 mm

    100×100×20 mm

    100×100×20 mm+5軸（S）TEM Compustage

    快速進(jìn)樣器

    手動(dòng)

    自動(dòng)

    手動(dòng)

    自動(dòng)

    自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM 樣品桿






    材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù)：


    　

    　

    Helios 5 CX

    Helios 5 UX

    離子光學(xué)

    　

    具有卓越的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

    具有卓越的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒

    離子束電流范圍

    1 pA – 100 nA

    1 pA – 65 nA

    加速電圧

    500 V – 30 kV

    500 V – 30 kV

    水平視場(chǎng)寬度

    在束重合點(diǎn)處為0.9 mm

    在束重合處點(diǎn)為0.7 mm

    離子源壽命

    1,000 小時(shí)

    1,000 小時(shí)

    　

    兩級(jí)差分抽吸

    兩級(jí)差分抽吸

    飛行時(shí)間校準(zhǔn)

    飛行時(shí)間校準(zhǔn)

    15孔光闌

    15孔光闌

    電子光學(xué)

    Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

    Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

    磁浸沒物鏡

    磁浸沒物鏡

    高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

    高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

    電子束分辨率

    工作距離下

    0.6 nm @ 30 kV STEM

    0.6 nm @ 30 kV STEM

    0.6 nm @ 15 kV

    0.7 nm @ 1 kV

    1.0 nm @ 1 kV

    1.0 nm @ 500 V (ICD)

    0.9 nm @ 1 kV 減速模式*

    　

    在束流重合點(diǎn)

    0.6 nm @ 15 kV

    0.6 nm @ 15 kV

    1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*

    1.2 nm @ 1 kV

    電子束參數(shù)

    電子束流范圍

    0.8 pA ~ 176 nA

    0.8 pA ~ 100 nA

    加速電壓范圍

    200 V ~ 30 kV

    350 V ~ 30 kV

    著陸電壓

    20 eV ~ 30 keV

    20 eV ~ 30 keV

    水平視場(chǎng)寬度

    2.3 mm @ 4 mm WD

    2.3 mm @ 4 mm WD

    探測(cè)器

    Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (TLD-SE, TLD-BSE)

    Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (ICD)*

    Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測(cè)器 (MD)*

    樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測(cè)器 (ETD)

    紅外相機(jī)

    高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測(cè)器 (SE)*

    樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機(jī)*

    可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測(cè)器 (DBS)*

    可伸縮STEM 3+ 探測(cè)器*

    電子束流測(cè)量

    樣品臺(tái)和樣品

    樣品臺(tái)

    高度靈活的五軸電動(dòng)樣品臺(tái)

    壓電陶瓷驅(qū)動(dòng) XYR 軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái)

    XY

    110 mm

    150 mm

    Z

    65 mm

    10 mm

    R

    360° (連續(xù))

    360° (連續(xù))

    傾斜

    -15° ~ +90°

    -10° ~ +60°

    樣品高度

    與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 85 mm

    與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 55 mm

    樣品質(zhì)量

    樣品臺(tái)任意位置 500 g

    樣品臺(tái)任意位置 500 g

     0° 傾斜時(shí) 5 kg

    樣品尺寸

    直徑 110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

    直徑 150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

    　

    優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

    優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜




    更易于使用：

    Helios 5 對(duì)所有經(jīng)驗(yàn)水平用戶而言都是最容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天，其系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作人員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。


    提高了生產(chǎn)率：

    Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的*自動(dòng)化功能，增強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作，顯著提高樣品制備通量。


    改善時(shí)間和結(jié)果：
    Helios 5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH （閃調(diào)）技術(shù)。借助 FLASH 技術(shù)，您只需在用戶界面中進(jìn)行簡(jiǎn)單的鼠標(biāo)操作，系統(tǒng)即可“實(shí)時(shí)"進(jìn)行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡(jiǎn)化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言，F(xiàn)LASH 技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時(shí)間最多縮短 10 倍。

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