晶體生長是用一定的方法和技術，使單晶體由液態(tài)或氣態(tài)結晶成長。由液態(tài)結晶又可以分成熔體生長或溶液生長兩大類。
熔體生長法又分為有直拉法、坩堝下降法、區(qū)熔法、焰熔法（又稱維爾納葉法）等
直拉法
此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法，適用于大尺寸晶體的批量生產。被加熱的坩堝中盛著熔融的料，籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體，由于固液界面附近的熔體維持一定的過冷度、熔體沿籽晶結晶，并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀單晶。坩堝可以由高頻感應或電阻加熱。半導體鍺、硅、氧化物單晶如釔鋁石榴石、釓鎵石榴石、鈮酸鋰等均用此方法生長而得。應用此方法時控制晶體品質的主要因素是固液界面的溫度梯度、生長速率、晶轉速率以及熔體的流體效應等。
區(qū)熔法
將一個多晶材料棒，通過一個狹窄的高溫區(qū)，使材料形成一個狹窄的熔區(qū)，移動材料棒或加熱體，使熔區(qū)移動而結晶，最后材料棒就形成了單晶棒。這方法可以使單晶材料在結晶過程中純度提得很高，并且也能使摻質摻得很均勻。區(qū)熔技術有水平法和依靠表面張力的浮區(qū)熔煉兩種。
溶液生長法又分為水溶液法、水熱法，助熔劑法等
水溶液法
對于具有負溫度系數(shù)或其溶解度溫度系數(shù)較小的材料，可以使溶液保持恒溫，并且不斷地從育晶器中移去溶劑而使晶體生長，采用這種辦法結晶的叫蒸發(fā)法。
水熱法
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