納米二硅化鉬，微米二硅化鉬，超細二硅化鉬，Molybdenum disiticide
貨號	技術(shù)參數(shù)
	粒徑	比表面積（m2/g）	體積密度（g/cm3）		形貌	顏色
XT-0808-2-1	200nm	14.3	4.8		不規(guī)則	黑灰色
XT-0808-2-2	1μm	9	11		不規(guī)則	黑灰色
備注：可根據(jù)用戶要求,定制其它規(guī)格產(chǎn)品
CAS 號: 12136-78-6				分子式：MoSi2
EC 號： 235-231-8				分子量：152.11
沸點：N.D				密度： 6.31g/mL
熔點： 2030℃				敏感性：濕度敏感

產(chǎn)品特點

熔點高達2030℃，具有導(dǎo)電性，在高溫下表面能形成二氧化硅鈍化層以阻止進一步氧化，其外觀為灰色金屬色澤，源于其四方α-型晶體結(jié)構(gòu)，也存在六角形但不穩(wěn)定的β-改性晶體結(jié)構(gòu) 。

應(yīng)用領(lǐng)域

1.發(fā)熱元件；

2.集成電路；

3.高溫抗氧化涂層；

4.高溫結(jié)構(gòu)材料；

5.電熔玻璃電極、鼓泡管、熱偶保護管、氣體取樣管；

6.厚模電阻、導(dǎo)電抗氧化涂層。

包裝儲存

本品為惰氣防靜電包裝,應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜*暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。

納米氧化鎵，微米氧化鎵，超細氧化鎵，Ga2O3

技術(shù)參數(shù)

貨號	平均粒徑	純度（%）	比表面積（m²/g）	體積密度（g/cm³）	密度（g/cm³）	晶形	顏色
XT-0806-27-1	10μm	99.99	10	1.12	6.01	球形	黑色
備注：可根據(jù)用戶要求,定制其它規(guī)格產(chǎn)品

產(chǎn)品特點

氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導(dǎo)體，Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性*以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

應(yīng)用領(lǐng)域

用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。

用作高純分析試劑、半導(dǎo)體材料。

包裝儲存

本品為惰氣防靜電包裝,應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜*暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。