HYAC市內(nèi)通信電纜場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類：JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的：在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū)，這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D，在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。是銅芯實(shí)心聚烯烴絕緣自承式擋潮層聚乙烯護(hù)套市內(nèi)通信電纜，使用于城域網(wǎng)通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中，架空安裝，施工方便，主要傳輸音頻信號(hào)。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：YD/T322-1996

HYAC市內(nèi)通信電纜單片機(jī)的外部中斷有兩種觸發(fā)方式可選：電平觸發(fā)和邊沿觸發(fā)。選擇電平觸發(fā)時(shí)，單片機(jī)在每個(gè)機(jī)器周期檢查中斷源口線，檢測(cè)到低電平，即置位中斷請(qǐng)求標(biāo)志，向CPU請(qǐng)求中斷。選擇邊沿觸發(fā)方式時(shí)，單片機(jī)在上一個(gè)機(jī)器周期檢測(cè)到中斷源口線為高電平，下一個(gè)機(jī)器周期檢測(cè)到低電平，即置位中斷標(biāo)志，請(qǐng)求中斷。這個(gè)原理很好理解。但應(yīng)用時(shí)需要特別注意的幾點(diǎn)：電平觸發(fā)方式時(shí)，中斷標(biāo)志寄存器不鎖存中斷請(qǐng)求信號(hào)。也就是說，單片機(jī)把每個(gè)機(jī)器周期的S5P2采樣到的外部中斷源口線的電平邏輯直接賦值到中斷標(biāo)志寄存器。電纜特點(diǎn)：HYA 型市內(nèi)通信電纜采用全色譜高密度聚乙稀絕緣，鋁塑綜合護(hù)套( 即電纜的縱包鋁帶與護(hù)套粘結(jié)成一體，形成密封護(hù)層) ，具有電氣性能*，施工方便的特點(diǎn)。

HYAC市內(nèi)通信電纜大部分小公司要求你全能，也就是說一個(gè)項(xiàng)目你要從芯片的選型，到外圍電路的搭建，后I/O口的定義，程序的編譯調(diào)試，后PCB板的制作，焊接，調(diào)試等等，你都要掌握。當(dāng)然你的工資也是客觀的。我的意思是學(xué)習(xí)單片機(jī)是要學(xué)習(xí)電路。接下來學(xué)編程語言，單片機(jī)的編程語言是結(jié)構(gòu)化的C語言。C語言的學(xué)習(xí)也不是那么容易的，至少指針就夠你迷糊一段時(shí)間的。學(xué)習(xí)C你可以先系統(tǒng)的學(xué)習(xí)一段時(shí)間，做一些練習(xí)，不用著急去將它應(yīng)用到單片機(jī)上。主要電氣性能：

.直流電阻:20℃,0.4 ≤148?/km 0.5 ≤95.0?/km 0.6 ≤65.8?/km 0.8 ≤36.6 ?/km2.絕緣電氣強(qiáng)度：導(dǎo)體之間1min 1kv 不擊穿 導(dǎo)體與1min 3kv 不擊穿

3.絕緣電阻：每根芯線與其余線芯接地, 充氣電纜大于10000MΩ.km, 填充式電纜大于3000MΩ.km 。

4.工作電容：平均值52±2nF/km

5. 遠(yuǎn)端串音防衛(wèi)度：150kHZ 時(shí)組合的功率平均值大于69dB/km