1、走向成熟工藝回爐再造：
中芯進(jìn)入實(shí)體名單說明一個(gè)道理：*基于美系設(shè)備的7nm其現(xiàn)實(shí)意義遠(yuǎn)小于基于國產(chǎn)設(shè)備的55nm，晶圓代工廠并不是半導(dǎo)體的較底層技術(shù)，而是設(shè)備、材料、工藝的集成商。
中國半導(dǎo)體的主要矛盾已經(jīng)從缺少*工藝，轉(zhuǎn)移到缺少國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備、材料。我們預(yù)計(jì)，低緯度國產(chǎn)替代進(jìn)程將持續(xù)下去，中國將從下而上把持泛半導(dǎo)體技術(shù)。在根技術(shù)，如設(shè)備、材料領(lǐng)域得到長足進(jìn)步前，先做好成熟工藝回爐再造，再逐步向上攻克*工藝壁壘，螺旋發(fā)展。
2、由單純外循環(huán)，走向科技雙循環(huán)：
科技格局將重新洗牌，呈現(xiàn)逆化的返祖狀態(tài)。即使強(qiáng)如美國也只參與了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的小部分環(huán)節(jié)，中、歐、日、美、韓、臺(tái)，各自占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈*的部分。
半導(dǎo)體是一個(gè)充分化分工的行業(yè)，沒有哪個(gè)國家能單獨(dú)實(shí)現(xiàn)全部內(nèi)循環(huán)，所以未來中國的科技格局關(guān)鍵在于實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全可控。
3、走向根技術(shù)補(bǔ)短板：
長板是矛，決定了走多遠(yuǎn)，是外循環(huán)的基礎(chǔ)；短板是盾，決定了底線較低內(nèi)循環(huán)的基礎(chǔ)。在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域，經(jīng)歷10多年的逆周期投資，中國有三大產(chǎn)業(yè)長板+一大短板：長板：芯片設(shè)計(jì)（Fabless）、半導(dǎo)體能源（光伏）、半導(dǎo)體照明（LED）+第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示（LCD）；短板：集成電路（設(shè)備、材料、EDA/IP、制造）。

在四大泛半導(dǎo)體領(lǐng)域中，光伏、LED、LCD領(lǐng)域中國已經(jīng)做到了前面，在范圍內(nèi)的支撐了其供應(yīng)鏈安全。基于泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大成功，未來中國半導(dǎo)體的重點(diǎn)將轉(zhuǎn)向短板（集成電路）

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