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溫州鑫川越防爆科技有限公司
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閱讀：115發(fā)布時間：2023-1-25
讓我們將其與目前市場上使用的燈泡進行比較。
1、白熾燈和鹵鎢燈，光效12-24流明/瓦。
2、熒光燈和HID燈的發(fā)光效率為50至120流明/瓦。
3、LED防爆燈有望達到250流明/瓦，目前為110流明/瓦，并已成功應用實施。
從這個值可以看出，如果條件允許，光源的光效可以更高。您可以無限使用99% 的燈光效果，直到達到99%。
目前，比較可行的提高發(fā)光效率的方法有：
1、LED防爆燈激光剝線技術（LLO）：
激光剝離技術(LLO) 使用激光能量區(qū)分GaN/藍寶石界面處的GaN 緩沖層，然后將鉛外延晶片與藍寶石襯底分離。其技術優(yōu)勢是可以將外延片轉移到導熱系數(shù)高的散熱片上，提高了大尺寸芯片的電流膨脹率。 面是發(fā)光面。發(fā)光面積增大，電極小，便于精細布局準備，減少刻蝕、研磨和劃片。更重要的是，藍寶石基板可重復使用。
2、LED防爆燈芯片鍵合技術：
光電設備對其所需要的數(shù)據(jù)有特定的功能要求，通常要求帶寬差異大，數(shù)據(jù)折射率變化大指數(shù)。不幸的是，通常沒有這種自然信息。而使用同質外延生長技術通常無法構建所需的帶寬差異和折射誤差指數(shù)不僅價格昂貴，而且成本高。接觸界面的密度也非常高，難以形成高質量的光電集成設備。這是因為低溫鍵合技術大大減少了不同材料之間的熱失配，減少了應力和位錯，使構建高質量設備成為可能。隨著對鍵合機理的逐步了解和鍵合工藝技術的逐步了解，現(xiàn)在可以將不同材料的各種芯片相互鍵合，形成一些特殊的材料和設備。
3、led防爆燈透明基板技術：LED顯示屏通常通過在GaAs襯底上外延生長InGaAlP發(fā)射區(qū)GaP窗口區(qū)來制備。由于GaAs材料的禁帶寬度比InGaAlP小很多，當短波長光從發(fā)射區(qū)和窗面進入GaAs襯底時，被吸收，使得光沒有器件的高輸出功率.布喇格反射區(qū)在襯底和限制層之間生長，因此射向襯底的光可以反射回發(fā)射區(qū)或窗口，從而改善器件的發(fā)光特性。一個更有用的方法是先去除GaAs 襯底，然后用透明的GaP 晶體代替它。
4、led防爆燈具外觀微布局技術：
表面微布局工藝是另一種提高設備光輸出的有用技術。這項技術的基本關鍵是在芯片表面蝕刻許多小布局，大約是光波長的大小。每個布局看起來像這樣：以截頭四面體的形式，不僅尺寸增大，而且增加了出光面積，改變了光在芯片表面的折射方向，大大提高了透射光功率。測量表明，對于窗口層厚度為20 m 的器件，光輸出可以增加30%。將窗口層的厚度減少到10 m 可使光輸出增加60%。
當然，我們還是期待led防爆燈的實際發(fā)光效率，可以達到99%，既節(jié)能又環(huán)保！
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