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phoenix繼電器電源1583870渭南市的價格

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號HC-K 6 PE 16 QMM M

品       牌

廠商性質代理商

所  在  地上海市

更新時間:2020-09-23 15:48:37瀏覽次數:239次

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謹荃phoenix繼電器電源1583870渭南市的價格

在屏蔽室內進行測試時,EUT斷電和所有輔助設備通電時測得的電磁環(huán)境電平應至少低于規(guī)定的極限值6 dB。電源線上的傳導環(huán)境電平應在斷口EUT但連接一個電阻負載情況下測量,該電阻負載應流過與被試設備相同的額定電流。

在屏蔽室外測試時,則測試應在電磁環(huán)境電平處于低點的時間和條件下進行。

測試場地應是平坦的,沒有架空線,附近沒有反射性結構,而且有足夠大的空間以滿足在規(guī)定的距離內放置天線,并在天線、被試設備和任何反射性結構之間提供足夠的間隔。

天線定位

(1) 確定EUT及其有關電纜測試配置邊界以便天線定位。

(2) 采用GJB152A一97中圖RE102—2中所示天線上的幾何參考點來測定天線距測試配置邊緣的高度和距離。

1) 對所有配置,天線應距測試配置邊界的前緣lm;
2) 除1040 rain拉桿天線外,天線應高于地面接地平板1200ram;
3) 確保天線任何部分距屏蔽室的壁面不小于lm,距頂板不小于0.5m;
4) 對使用測試工作臺面的測試配置,對拉桿天線附加定位要求和對測試工作臺接地平板的距離應滿足GJB152A-97中RE102—2中的要求

 

PLC 1583872 VC-TR2/3M-SEW

電子殼體 1583874 VC-TR3/4M-SEW

防雷 1583877 VC-AMC 4

浪涌保護器 1583878 VC-AMC 5

測厚儀 1583880 VC-K-T2-IN (10-25) G

膜厚儀 1583881 VC-K-T2-IN-BK(10-25)G-S4-SET

接線端子 1584017 HC-M-KV-M20(1ASI)

繼電器 1584020 HC-M-KV-M25(1ASI)

電源 1584033 HC-DD24-I-CT-M

PLC 1584046 HC-DD24-I-CT-F

電子殼體 1584059 HC-DD42-I-CT-M

防雷 1584062 HC-DD42-I-CT-F

浪涌保護器 1584075 HC-DD72-I-CT-M

測厚儀 1584088 HC-DD72-I-CT-M-144

膜厚儀 1584091 HC-DD72-I-CT-F

接線端子 1584101 HC-DD72-I-CT-F-144

繼電器 1584114 HC-DD108-I-CT-M

電源 1584127 HC-DD108-I-CT-M-216

PLC 1584130 HC-DD108-I-CT-F

電子殼體 1584143 HC-DD108-I-CT-F-216

防雷 1584198 HC-B-TMS-ERSSCHR

浪涌保護器 1584208 Q 1,5/4A15/16-M25KU-ESA-PE

測厚儀 1584211 HC-B 6-LB

膜厚儀 1584240 HC-D 40-A-UT-PEL-M

接線端子 1584253 HC-D 40-A-UT-PEL-F

繼電器 1584266 HC-D 40-A-UT-PER-M

電源 1584279 HC-D 40-A-UT-PER-F

PLC 1584282 HC-D 64-A-UT-PEL-M

試驗場地的自然地面應采用一張可以覆蓋被試設備和測量天線之間整個區(qū)域的導電金屬接地平板來擴大。該金屬地板應在一端超出被試設備的邊界至少1m,在另一端超出測量天線及其支持結構至少1m。為了滿足場地的衰減要求,在某些場地也許需要鋪設大于所示面積的傳導性地板。導電金屬接地平板上的孔隙或間隙尺寸不應大于高測量頻率波的十分之一。

如果進行試驗的場地不具備上述特點,應收集證據證明這種場地造成的誤差不會使得到的結果無效。一個可以選擇的場地的例子是一間半電波暗室。

應通過測量水平和垂直極化場地衰減使試驗場地有效。用于測量場地衰減的天線間距應與輻射發(fā)射天線試驗的間距相同。

如果水平或垂直場地衰減測量值與理想場地的理論衰減值之差不大于±4dB,則認為該試驗場地是可接受的。

 

電子殼體 1584295 HC-D 64-A-UT-PEL-F

防雷 1584318 HC-D 64-A-UT-PER-M

浪涌保護器 1584321 HC-D 64-A-UT-PER-F

測厚儀 1584334 HC-D  7-I-CT-M

膜厚儀 1584347 HC-D  7-I-CT-F

接線端子 1584350 HC-D  8-I-CT-M

繼電器 1584363 HC-D  8-I-CT-F

電源 1584376 HC-D 15-I-CT-M

PLC 1584389 HC-D 15-I-CT-F

電子殼體 1584392 HC-D 25-I-CT-M

防雷 1584402 HC-D 25-I-CT-F

浪涌保護器 1584415 HC-D 40-I-CT-M

測厚儀 1584428 HC-D 40-I-CT-F

膜厚儀 1584431 HC-D 64-I-CT-M

接線端子 1584444 HC-D 64-I-CT-F

繼電器 1584512 HC-B 10-SD-MLT/FS-AL

電源 1584525 HC-B 16-SD-MLT/FS-AL

PLC 1584538 HC-B 24-SD-MLT/FS-AL

電子殼體 1584541 HC-B 10-SD-MQT/FS-AL

防雷 1584554 HC-B 16-SD-MQT/FS-AL

浪涌保護器 1584567 HC-B 24-SD-MQT/FS-AL

測厚儀 1584570 HC-B 24-SFZ-84/O1M32

膜厚儀 1584583 HC-B 24-AFZ

接線端子 1584619 HC-B 16-SFZ-84/O1M32

繼電器 1584622 HC-B 16-AFZ

電源 1584651 HC-B 10-LB

PLC 1584664 HC-B 16-LB

電子殼體 1584677 HC-B 24-LB

防雷 1584680 HC-D  7-LB-KU

浪涌保護器 1584693 CK2,5-ED-BB

測厚儀 1584703 HC-BB10-I-CT-F

被試件應按設計要求在額定工作電壓和典型的負載條件下運行。只要可能,應使用實際負載;如果使用模擬負載,該模擬負載應是阻性負載。

被試件應工作在使其產生大輻射發(fā)射的工作狀態(tài)下。即在試驗時,應將輔助激勵量和輸入激勵量的額定值施加于被試設備的相應回路,在被試設備處于暫態(tài)動作狀態(tài)下,測量其電磁發(fā)射。

本測試方法用來測試EUT及有關電線、電纜的電場發(fā)射。測試時,應使EUT保持3.1規(guī)定的基本測試配置,要確保EUT產生大輻射發(fā)射的面朝向測量天線。

在屏蔽室內測量,使用一個與地網同寬的實芯金屬帶將拉桿天線地網搭接到接地平板上,地網與接地平板之間大直流搭接電阻2.5mΩ。使用金屬接地板的測試工作臺,搭接該地網到金屬接地平板上。

 

膜厚儀 1584716 HC-BB18-I-CT-M

接線端子 1584729 HC-BB18-I-CT-F

繼電器 1584732 HC-BB32-I-CT-M

電源 1584745 HC-BB32-I-CT-F

PLC 1584758 HC-BB46-I-CT-F

電子殼體 1584761 HC-BB46-I-CT-M

防雷 1584774 HC-BB10-I-CT-M

浪涌保護器 1584787 Q 1,5/4A10/24-M20KU-ESA BK PE

測厚儀 1584826 HC-M-AH-EWZ

膜厚儀 1584839 CRIMPFOX-1,6-ED-POF-N

接線端子 1584868 HC-A-PES

繼電器 1584871 HC-B 16-I-UT-M-32

電源 1584884 HC-B 16-I-UT-F-32

PLC 1584910 HC-B 16-I-CT-M-32

電子殼體 1584923 HC-B 16-I-CT-F-32

防雷 1584936 HC-B 24-I-UT-M-48

浪涌保護器 1584949 HC-B 24-I-UT-F-48

測厚儀 1584978 HC-B 24-I-CT-M-48

膜厚儀 1584981 HC-B 24-I-CT-F-48

接線端子 1585045 Q 1,5/4A50/24-M20KU-ESA-BK

繼電器 1585058 Q 1,5/4IDC/24-24KU-KU-ASI-BK

電源 1585155 HC-M-MHR-FIX

PLC 1585207 HC-B 16-ADP/1DSUB37/VPE250

電子殼體 1585210 HC-A03-I-UT-M

防雷 1585223 HC-A03-I-UT-F

浪涌保護器 1585236 HC-A04-I-UT-M

測厚儀 1585249 HC-A04-I-UT-F

膜厚儀 1585294 HC-A10-I-UT-M

接線端子 1585304 HC-A10-I-UT-F

繼電器 1585317 HC-A16-I-UT-M

以上就是phoenix繼電器電源1583870渭南市的價格

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