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電子工業(yè)用EDI超純水設(shè)備   電子工業(yè)用EDI超純水設(shè)備

1、超純水設(shè)備系統(tǒng)介紹

  超純水設(shè)備系統(tǒng)主要采用全自動反滲透+電去離子（EDI）+拋光混床超純水處理技術(shù)，前置預(yù)處理加反滲透處理，有效去除水中各種鹽份及雜質(zhì)，然后運用CEDI及拋光混床系統(tǒng)，進一步提升水質(zhì)，使出水達(dá)到用水工藝要求。在其中EDI是主要核心。

  EDI(Electrodeionization)技術(shù)是將電滲析技術(shù)和離子交換技術(shù)相融合，通過陰、陽離子交換膜對陰、陽離子的選擇性透過作用與離子交換樹脂對離子的交換作用，在直流電場的作用下實現(xiàn)離子的定向遷移，從而完成水的深度除鹽，同時水電離解產(chǎn)生的氫離子和氫氧根離子對離子交換樹脂進行再生，因此不需酸堿化學(xué)再生而能連續(xù)制取超純水。

2、EDI工作原理

1）RO產(chǎn)水進入EDI模塊后被均勻地分配到淡水室中。

2）RO膜未脫除的微量離子被淡水室中的離子交換樹脂吸附在膜表面。

3）直流電加在EDI模塊的兩端電極，驅(qū)動淡水室中的陰陽離子向相應(yīng)電極遷移至濃水室，從而制取高純水。

4）在電場作用下，水分子被大量電離成H+和OH-，從而連續(xù)地對離子交換樹脂進行再生。

3、EDI進水條件

進水水源：反滲透RO產(chǎn)水

進水電導(dǎo)率：≤20μS/cm

進水電導(dǎo)范圍率：2-10μS/cm

進水電導(dǎo)率限值：≤50μS/cm

進水PH值：6-8

進水溫度：5℃-38℃

進水壓力：0.2-0.6MPa

硬度：小于0.5ppm，(以CaCO3計)

硅：小于0.5ppm，(以SiO2計)

4、超純水設(shè)備規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)

1）工藝標(biāo)準(zhǔn)

（1）《鋼制焊接常壓容器 NB/T  47003.1—2009》

（2）《水處理設(shè)備 技術(shù)條件 JB/T 2932-1999》

（3）《機械設(shè)備安裝工程施工及驗收通用規(guī)范》GB50231-2009
2）電氣安裝標(biāo)準(zhǔn)

（1）GB50168-2006 《電氣裝置安裝工程電纜線路施工及驗收規(guī)范》

（2）GB50171-92《電氣裝置安裝工程盤/柜及二次回路施工及驗收規(guī)范》

（3）GB50169-2006《電氣裝置安裝工程接地裝置施工及驗收規(guī)范》

5、超純水設(shè)備工藝流程

（1）預(yù)處理+雙級反滲透+電去離子+拋光混床
（2）預(yù)處理+單級反滲透+電去離子
（3）預(yù)處理+單級反滲透+再生混床

6、超純水設(shè)備性能介紹

（1）超純水設(shè)備反滲透系統(tǒng)采用全自動方式控制，主要元件采用進口元件，穩(wěn)定性高，操作簡單方便。

（2）超純水設(shè)備配備濃水調(diào)節(jié)閥，操作方便。

（3）超純水設(shè)備配備有紫外線及膜濾器，防止細(xì)菌對EDI及水質(zhì)的影響。

（4）超純水設(shè)備通過核心技術(shù)，確保EDI系統(tǒng)短時停機或長時間停機時水質(zhì)保持穩(wěn)定。

（5）超純水設(shè)備采用EDI膜堆，性能穩(wěn)定，使用壽命長，連續(xù)出水水質(zhì)穩(wěn)定無波動，不需加鹽和濃水循環(huán)。

（6）超純水設(shè)備中的EDI流量計采用德國進口斯德寶品牌的帶磁感應(yīng)浮子流量計，可預(yù)防因濃水通道堵塞或其他設(shè)備故障引起的無濃水產(chǎn)水而對膜堆造成的損壞。

（7）超純水設(shè)備具有無水保護和高、低壓力保護等多種裝置安全功能。

（8）超純水設(shè)備所有控制采用全自動方式，主要元件采用進口元件，穩(wěn)定性高，操作簡單方便。

（9）超純水設(shè)備主要電器元件采用法國施耐德，保質(zhì)保量，并按合適配置設(shè)計。

7、超純水設(shè)備應(yīng)用行業(yè)

新能源行業(yè)（光伏、微電子、太陽能、新材料）、電子（集成電路、顯像管、線路板、電腦元件、電容器等）、電力（核電、光電、火力發(fā)電等）、光學(xué)、半導(dǎo)體、單/多晶硅、表面處理、化工、電鍍等相關(guān)行業(yè)。