隨著電子器件的不斷縮小，熱發(fā)生器和熱耗散變得越來越重要。微型熱顯微鏡可以測量并顯示溫度分布的半導體器件的表面，使熱點和熱梯度可顯示缺損位置，通常導致效率下降和早期故障的快速檢測。

紅外熱成像顯微鏡熱點及缺陷

紅外熱成像顯微鏡

infrasight MI的紅外攝像機的靈敏度高結合*的降噪和圖像增強算法

提供檢測和定位的熱點在半導體器件

消耗小于1毫瓦的功率和升高溫度， 表現(xiàn)出只有0.05攝氏度。

短時間試驗中，設備通常是供電的5到10秒。

I/O模塊使大功耗是與軟件測試同步。

    測試平均電阻低于一歐姆短路檢測。因為低電阻短路消失，只有少量的電和熱，

一系列的測試可以一起平均提高測試靈敏度。  自動停止功能打開I/O模塊繼電器自動切斷電源，

對設備/板作為一個預先定義的閾值以上的短溫度升高。

這種安全功能可以幫助防止對設備/板損壞，同時定位時間。

鏈接方法

微量可用于測量功能的器件結溫。為了準確測量結溫， 一個模具的表面發(fā)射率的地圖必須首先被創(chuàng)建。

該裝置是安裝在保溫階段控制在均勻的溫度。

然后計算thermalyze軟件的表面，

適用于熱圖像糾正發(fā)射率的變化在死像素的發(fā)射率的地圖像素。測量結溫，設備供電，高溫度區(qū)域內(nèi)圍交界處測量。