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更新時(shí)間:2021-03-22 15:10:45瀏覽次數(shù):347次
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聚焦離子束FIB 材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備,包括:SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
聚焦離子束FIB
聚焦離子束系統(tǒng)(FIB):材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備,包括:SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
聚焦離子束場(chǎng)發(fā)射掃描雙束電鏡(FIB)是上納米結(jié)構(gòu)分析和材料微納結(jié)構(gòu)制備的*設(shè)備。它配有電子束和Ga離子束,可以實(shí)現(xiàn)電子束與離子束的同時(shí)在線觀測(cè),具有束流穩(wěn)定、分辨率高、納米操控確的特點(diǎn),可以在納米尺度的分辨率下對(duì)材料進(jìn)行三維、高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析,及各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和定量檢測(cè)。
聚焦離子束FIB主要技術(shù)指標(biāo)The main technical indicators:
SEM 分辨率Resolution: 1.0nm @ 15kV 1.9nm @ 1kV
放大倍數(shù)Mag.:12 ~ 1000,000x
加速電壓EHT:0.1 ~ 30kV
FIB 分辨率Resolution:2.5nm @ 30kV
放大倍數(shù)Mag.:300×~ 500,000×
加速電壓EHT:1.0 ~ 30Kv
配置Configuration
探測(cè)器Detector:Inlens二次電子探測(cè)器
E-T 二次電子探測(cè)器
ESB背散射電子探測(cè)器
X射線能譜儀 X-ray spectrometer
分辨率Resolution:127 eV @ MnKα
探測(cè)元素范圍Detection range of elements: Be(4) ~ Fm(100)
EBSD探測(cè)器 EBSD Detector
空間分辨率Spatial resolution:50nm
主要功能:
1. 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SEM):各種材料形貌觀察和分析,如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等
2. X射線能譜分析儀(EDS):材料微區(qū)成分分析;MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV;CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV;元素Be4-U92;
3. 3D背散射電子取向成像系統(tǒng)(EBSD):多晶材料的晶體取向和織構(gòu)分析和3D重構(gòu);空間分辨率:優(yōu)于50nm;探測(cè)器靈敏度: 加速電壓在3KV時(shí),束流小于50pA能采集到花樣;解析速度大可達(dá)600點(diǎn)/s;測(cè)試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能,選取實(shí)際樣品進(jìn)行三維EDS & EBSD測(cè)試;
4. 聚焦離子束系統(tǒng)(FIB):材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備,包括:SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。
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