1200℃坩堝可移動型管式爐系列是一款坩堝可在爐管內(nèi)移動（靠步進電機控制）的小型開啟式管式爐。爐管外徑為50mm,設(shè)備zui高工作溫度為1200℃。通過觸摸屏數(shù)字控制器控制樣品臺或坩堝在爐管內(nèi)的位置和溫度。此設(shè)備可進行快速熱處理，例如混合物理化學(xué)沉積（HPCVD），快速熱蒸發(fā)（RTE），以及在各種氣氛下進行的水平布里奇曼晶體生長（HDC），用于新一代晶體研究。

1200℃坩堝可移動型管式爐系列

· 爐子配備步進電機，通過觸摸屏數(shù)字控制器使樣品臺或坩堝在爐管內(nèi)移動。

· zui高溫度可達1200℃。

· 雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，可有效降低殼體表面溫度。

· 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。

· 可選擇改造為雙溫區(qū)管式爐，但需額外付費，以產(chǎn)生更高的熱梯度或更長的恒溫區(qū)。

· 一個直徑為1/4＂的鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動，可實時監(jiān)測樣品的實際溫度。（見圖一）

· 通過步進電機移動爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺），zui大行程為100mm。

· 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標位置，坩堝移動速度為180mm/min（可根據(jù)要求提供變速控制，但需額外付費）。（見圖二）

· 在熱電偶上安裝了一個微型坩堝舟。（ 見圖三）

· 可根據(jù)要求提供用于晶片的氮化鋁樣品架或石墨平板基底支架，將收取額外的定制費（見圖四）。