產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高真空PECVD系統(tǒng)為單室薄膜太陽(yáng)電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來(lái)在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156*156mm基片（并向下兼容）。

產(chǎn)品型號(hào)	高真空PECVD系統(tǒng)
主要特點(diǎn)	1、系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門(mén)； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空尺寸為300mm×300×280mm； 3、采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式 4、氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置 5、系統(tǒng)設(shè)有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
技術(shù)參數(shù)	1、停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa； 2、樣品加加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫； 3、噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)，并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示，采用金屬焊接波紋管+進(jìn)口直線導(dǎo)軌+進(jìn)口絲杠+進(jìn)口光軸方式，升降平穩(wěn)、無(wú)抖動(dòng)，保證了電極與樣品的平行度； 4、沉積工作真空：13-1300Pa； 5、射頻電源：頻率 13.56MHz，大功率500W，全自動(dòng)匹配； 6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路氣體，共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。
標(biāo)準(zhǔn)配件
可選配件

關(guān)鍵詞：電池質(zhì)量流量控制器

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高真空PECVD系統(tǒng)

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