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光譜學在半導體領域中的應用

閱讀:48發(fā)布時間:2023-6-4

光譜學在半導體領域中的應用

VCSEL/薄膜測量/OES/終點檢測/激光波長測量

VCSEL 的生產(chǎn)和測試


很多VCSEL制造商和集成商都使用Avantes公司的光譜儀來測試VCSEL的性能。許多客戶發(fā)現(xiàn)Avantes的光譜儀在VCSEL的許多常規(guī)測試中可以替代昂貴的光譜分析儀(OSA)。Avantes光譜儀被客戶稱贊的主要優(yōu)勢包括高分辨率,高靈敏度,高像素數(shù),軟件易于集成,可以實現(xiàn)高速測試。


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Wafer Probing By MarTek, Inc. [CC BY-SA 3.0 ],via Wikimedia Commons

圖中顯示了在晶圓加工過程中收集的 VCSEL 光譜的兩個不同示例。圖A是正常工作的單模 VSCEL 的示例,它僅顯示單個峰值,而圖B 顯示有缺陷的單模 VSCEL 具有多余的邊模。通過將高速光譜儀整合到晶圓檢測過程中,VCSEL 制造商可以利用類似于 LED 制造過程中使用的高速分揀和分類技術(shù)來顯著降低成本。


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正常工作的單模激光輸出 (A) 和具有大邊模 (B) 的故障激光器的示例 VCSEL 光譜分布


推薦型號

AvaSpec-ULS4096CL-EVO

薄膜測量

薄膜被廣泛應用于各種行業(yè),包括半導體、微電子、顯示技術(shù),當然還有光學元件。雖然薄膜的最終應用多種多樣,但都要求在鍍膜過程中精確控制每一個膜層的厚度。而這個工作非常具有挑戰(zhàn)性,因為這些膜層的厚度不盡相同,通常在1 nm100 μm之間。精確測定薄膜厚度的方法之一就是使用光譜儀。

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半導體工業(yè)中薄膜的測量是通過反射或透射測量來實現(xiàn)的,使用基底和涂層材料的已知光學常數(shù)來計算理論厚度,然后將其與實際測量的厚度進行比較。

Setup 12 ThinFilm measurement.jpg膜厚數(shù)據(jù)測試圖.png

薄膜測量示意圖及膜厚測試數(shù)據(jù)圖


Avantes將AvaSpec-ULS2048CL-EVO光譜儀應用到多個薄膜測試中?;诜瓷浜屯干涞谋∧y量通常在 200-1100 nm 范圍內(nèi)進行,適用于 10 nm-50 µm 的涂層。對于較厚的薄膜測量,可以使用Avantes 的NIRline 系列儀器。AvaSpec -NIR256/512-1.7-EVO 及AvaSpec-NIR256/512-1.7-HSC-EVO是常用的近紅外范圍薄膜測量儀器。


推薦型號

AvaSpec-ULS2048CL-EVO/ AvaSpec-NIR256/512-1.7-HSC-EVO



離子體刻蝕工藝中的光學發(fā)射光譜OES)監(jiān)測

等離子體刻蝕是現(xiàn)代電子制造中使用廣泛的技術(shù)之一,尤其是在集成電路 (IC) 和其他類型的微電子產(chǎn)品的制造方面。許多大型 IC包含多達 400 個不同的單獨層,并且要構(gòu)建如此復雜的結(jié)構(gòu),每一層通常都需要外延生長和等離子體刻蝕。通過光學發(fā)射光譜(OES)監(jiān)測技術(shù)進行刻蝕終點監(jiān)測,IC 制造商可以自動化刻蝕過程,而不必擔心過度刻蝕或刻蝕程度不夠等問題。

荷蘭埃因霍芬理工大學 Richard van de Sanden 教授的等離子體和材料工藝 (PMP) 小組提供示例:在蝕刻過程中收集發(fā)射光譜并通過光纖將其耦合到 Avantes 光譜儀來監(jiān)測 431nm CH 的譜線。

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用于監(jiān)測 CH 含量的蝕刻深度和 431 nm 光譜峰值強度

Avantes 光譜儀在 200-1100 nm 范圍內(nèi)可以配置成多通道組合的方式,分辨率可達到0.05nm,每個通道可以設置不同的積分時間或信號平均次數(shù),并且各個通道同步采集。此外,軟件中Store to RAM功能可實現(xiàn)多通道高速測量,采樣頻率可達2200幅光譜/秒。Avantes光譜儀相比于大型掃描型光譜儀價格更便宜,并且可以提供穩(wěn)定地、采樣速率更快的測試。

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AvaSpec系列多通道光譜儀

終點檢測


等離子體刻蝕過程中,我們需要關注何時停止刻蝕避免下層介質(zhì)受到損傷,導致器件失效,因此,能夠準確地判定刻蝕終點就顯得尤為重要。OES光譜監(jiān)測,可作為刻蝕終點檢測一種有效輔助手段,測量原理是基于光譜儀對刻蝕過程中的特征光譜信號進行實時監(jiān)測,同時非介入式的測量又不會對刻蝕本身產(chǎn)生干擾。不同物質(zhì)都有其特征發(fā)射光譜,當刻蝕材料改變時可以通過OES光譜的變化來確定薄膜被清除的進程,從而進行刻蝕終點判別。

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(a)系統(tǒng)三維模型圖 (b) 系統(tǒng)實物


圖片來自:Zhang, J.; Luo, J.; Zou, X.; Chen, J. An Endpoint Detection System for Ion Beam Etching Using Optical Emission Spectroscopy. Micromachines 2022, 13, 259. https://doi.org/10.3390/mi


推薦型號

AvaSpec-HSC1024*58TEC-EVO

AvaSpec-ULS2048CL-EVO/ AvaSpec-ULS4096CL-EVO

激光波長測量


隨著激光在半導體、工業(yè)加工和醫(yī)療等領域的應用越來越廣泛,方便快捷的測量激光器波長已經(jīng)成為一種迫切的需求。目前測量激光波長參數(shù)的儀器大致分為三類,一類是波長計,功能簡單,操作方便,精度也比較高,但是一般只能讀出波長數(shù)據(jù),當激光器是多波長或者光譜較寬時,測量有可能不準確;一類是掃描F-P腔,主要是研究激光器的光譜形狀,一般不給出波長的數(shù)值;還有一類就是光譜儀,通過光譜儀,我們可以方便地監(jiān)測激光的波長、幅值、半寬值(FWHM)、波峰數(shù)目等參數(shù)隨時間變化的情況。

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AvaSpec-ULS4096CL-EVO高分辨率光譜儀非常適合測量連續(xù)和脈沖激光的波長和相對強度,而且由于探測器具有9微秒的電子快門功能,因此動態(tài)范圍非常大。對于高功率激光,可選用積分球或余弦校正器來衰減入射光,以避免探測器飽和。

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AvaSpec-ULS4096CL-EVO

關于我們


北京愛萬提斯科技有限公司作為微型光纖光譜儀制造商,公司總部位于荷蘭Apeldoom,擁有超過2400平方米的總部,研發(fā)中心及標準化工廠,同時在美國、中國、英國、德國有分公司,在其他35個國家有46個專業(yè)的代理商。Avantes公司在為客戶提供定制光譜儀方面擁有將近30年的經(jīng)驗,并廣泛的在科研、工業(yè)和OEM領域有著豐富的經(jīng)驗,這使得Avantes公司可以為客戶提供適合于他們應用和研究的解決方案。2007年成立了北京愛萬提斯科技有限公司(Avantes China),2021年成立了上海愛萬提斯科技(Avantes Shanghai)應用中心,并在成都建立了辦事處。



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