KITA經(jīng)登磁性傳感器KT-33R磁性開(kāi)關(guān)

KITA經(jīng)登磁性傳感器 磁性開(kāi)關(guān) KT1001D系列

Model No. KT-1001D

KT-1001D
特性：10 ~ 28V DC，5 ~ 50mA，1.5W。

型號(hào) KT-1001D
開(kāi)關(guān)邏輯 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型
輸出接點(diǎn)型式 –
使用電壓范圍 10 ~ 28V DC
大開(kāi)關(guān)電流 5 ~ 50mA max.
接點(diǎn)容量 1.5W max.
消費(fèi)電流 –
內(nèi)部電壓降 5V max.
指示燈顏色 不穩(wěn)定感應(yīng)范圍：紅色LED亮起，穩(wěn)定感應(yīng)范圍：綠色LED亮起
電線 ?4.8, 2C, PVC
感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度 85 高斯

KITA經(jīng)登磁性傳感器 磁性開(kāi)關(guān) KT1000D系列
Model No. KT-1000D

KT-1000D
特性：10 ~ 28V DC，5 ~ 50mA，1.5W。

型號(hào) KT-1000D
開(kāi)關(guān)邏輯 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型
輸出接點(diǎn)型式 –
使用電壓范圍 10 ~ 28V DC
大開(kāi)關(guān)電流 5 ~ 50mA max.
接點(diǎn)容量 1.5W max.
消費(fèi)電流 –
內(nèi)部電壓降 5V max.
指示燈顏色 不穩(wěn)定感應(yīng)范圍：紅色LED亮起，穩(wěn)定感應(yīng)范圍：綠色LED亮起。
電線 ?5.4, 2C, PVC
感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度 85 高斯

KITA經(jīng)登磁性傳感器 磁性開(kāi)關(guān) KT33系列

Model No. KT-33R、KT-33D、KT-33N、KT-33P

KT-33R
特性：5 ~ 240V DC/AC，100mA，10W
KT-33D
特性：10 ~ 28V DC，4 ~ 40mA，1.5W
KT-33N
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W
KT-33P
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W

型號(hào) KT-33R KT-33D KT-33N KT-33P

KITA經(jīng)登磁性傳感器KT-33R磁性開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)邏輯 SPST 常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型
輸出接點(diǎn)型式 有接點(diǎn) 無(wú)接點(diǎn) 無(wú)接點(diǎn) NPN 型 無(wú)接點(diǎn) PNP 型
使用電壓范圍 5 ~ 240V DC/AC 10 ~ 28V DC 5 ~ 30V DC 5 ~ 30V DC
大開(kāi)關(guān)電流 100mA max. 4 ~ 40mA max. 200mA max. 200mA max.
接點(diǎn)容量 10W max. 1.5W max. 6W max. 6W max.
消費(fèi)電流 – – 22mA@24V DC max. 20mA@24V DC max.
內(nèi)部電壓降 3.5V max. 3.5V max. 0.5V max. 0.5V max.
指示燈顏色 紅色 LED 綠色 LED 紅色 LED 綠色 LED
電線 ?3.3, 2C, PVC ?3.3, 2C, PVC ?3.3, 3C, PVC ?3.3, 3C, PVC
大切換工作頻率 200Hz 1000Hz 1000Hz 1000Hz
感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度 80 高斯 70 高斯 70 高斯 70 高斯

KITA經(jīng)登磁性傳感器 磁性開(kāi)關(guān) KT21系列

Model No. KT-21R、KT-21DE、KT-21N、KT-21NE、KT-21P、KT-21PE

KT-21R
特性：5 ~ 240V DC/AC，100mA，10W。
KT-21DE
特性：5 ~ 30V DC，50mA，1.5W。
KT-21N
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W。
KT-21NE
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W。
KT-21P
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W。
KT-21PE
特性：5 ~ 30V DC，200mA，6W。

型號(hào) KT-21R KT-21DE KT-21N KT-21NE KT-21P KT-21PE
開(kāi)關(guān)邏輯 SPST 常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型 電子式無(wú)接點(diǎn)，常開(kāi)型
輸出接點(diǎn)型式 有接點(diǎn) 無(wú)接點(diǎn) 無(wú)接點(diǎn) NPN 型 無(wú)接點(diǎn) NPN 型 無(wú)接點(diǎn) PNP 型 無(wú)接點(diǎn) PNP 型
使用電壓范圍 5 ~ 240V DC/AC 5 ~ 30V DC 5 ~ 30V DC 5 ~ 30V DC 5 ~ 30V DC 5 ~ 30V DC
大開(kāi)關(guān)電流 100mA max. 50mA max. 200mA max. 200mA max. 200mA max. 200mA max.
接點(diǎn)容量 10W max. 1.5W max. 6W max. 6W max. 6W max. 6W max.
消費(fèi)電流 – – 15mA@24V DC max. 6mA@24V DC max. 15mA@24V DC max. 6mA@24V DC max.
內(nèi)部電壓降 3.5V max. 3.7V max. 1.5V max. 0.5V max. 1.5V max. 0.5V max.
指示燈顏色 綠色 LED 紅色 LED 紅色 LED 紅色 LED 綠色 LED 綠色 LED
電線 ?4, 2C, PVC ?4, 2C, PVC ?4, 3C, PU ?4, 3C, PU ?4, 3C, PU ?4, 3C, PU
大切換工作頻率 200Hz 1000Hz max. 1000Hz max. 1000Hz max. 1000Hz max. 1000Hz max.
感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度 80 高斯 40 ~ 1000 高斯 70 高斯 40 ~ 1000 高斯 70 高斯 40 ~ 1000 高斯

磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)測(cè)量電流、位置、方向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，有許多不同類(lèi)型的傳感器用于測(cè)量磁場(chǎng)和其他參數(shù)。
定義.
磁傳感器是把磁場(chǎng)、電流、應(yīng)力應(yīng)變、溫度、光等外界因素引起敏感元件磁性能變化轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，以這種方式來(lái)檢測(cè)相應(yīng)物理量的器件。磁傳感器分為三類(lèi):指南針、磁場(chǎng)感應(yīng)器、位置傳感器。指南針:地球會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，如果你能測(cè)地球表面磁場(chǎng)就可以做指南針。電流傳感器:電流傳感器也是磁場(chǎng)傳感器。電流傳感器可以用在家用電器、智能電網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等等。位置傳感器: 如果一個(gè)磁體和磁傳感器相互之間有位置變化，這個(gè)位置變化是線性的就是線性傳感器，如果轉(zhuǎn)動(dòng)的就是轉(zhuǎn)動(dòng)傳感器。

大生活中用到很多磁傳感器，比如說(shuō)指南針，電腦硬盤(pán)、家用電器等等。
發(fā)展趨勢(shì).
磁傳感器未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)有以下幾種特點(diǎn):

1、高靈敏度。被檢測(cè)信號(hào)的強(qiáng)度越來(lái)越弱，這就需要磁性傳感器靈敏度得到*提高。應(yīng)用方面包括電流傳感器、角度傳感器、齒輪傳感器、太空環(huán)境測(cè)量。

2、溫度穩(wěn)定性。更多的應(yīng)用領(lǐng)域要求傳感器的工作環(huán)境越來(lái)越嚴(yán)酷，這就要求磁傳感器必須具有很好的溫度穩(wěn)定性，行業(yè)應(yīng)用包括汽車(chē)電子行業(yè)。

3、抗干擾性。很多領(lǐng)域里傳感器的使用環(huán)境沒(méi)有任何屏蔽，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括汽車(chē)電子、水表等等。

4、小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，這就需要芯片級(jí)的集成，模塊級(jí)集成，產(chǎn)品級(jí)集成。

5、高頻特性。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的推廣，要求傳感器的工作頻率越來(lái)越高，應(yīng)用領(lǐng)域包括水表、汽車(chē)電子行業(yè)、信息記錄行業(yè)。

6、低功耗。很多領(lǐng)域要求傳感器本身的功耗極低，得以延長(zhǎng)傳感器的使用壽命。應(yīng)用在植入身體內(nèi)磁性生物芯片，指南針等等。
發(fā)展歷程.
磁傳感器的發(fā)展,在上世紀(jì)70~80 年代形成高潮。90 年代是已發(fā)展起來(lái)的這些磁傳感器的成熟和完善的時(shí)期。

(1) 集成電路技術(shù)的應(yīng)用。將硅集成電路技術(shù)用于磁傳感器,開(kāi)始于1967 年。Honeywell 公司Mi2croswitch 分部的科技人員將Si 霍爾片和它的訊號(hào)處理電路集成到一個(gè)單芯片上,制成了開(kāi)關(guān)電路,首開(kāi)了單片集成磁傳感器之先河。已經(jīng)出現(xiàn)了磁敏電阻電路、巨磁阻電路等許多種功能性的集成磁傳感器。

(2) InSb 薄膜技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功,使InSb 霍爾元件產(chǎn)量大增,成本大幅度下降。先運(yùn)用這種技術(shù)獲得成功的日本旭化成電子公司,如今可年產(chǎn)5 億只以上。

(3) 強(qiáng)磁性合金薄膜。1975 年面市的強(qiáng)磁合金薄膜磁敏電阻器利用的是強(qiáng)磁合金薄膜中的磁敏電阻各向異性效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場(chǎng)作用下,以坡莫合金為代表的強(qiáng)磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出2 [%]~5 [%]的變化。利用這種效應(yīng)已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來(lái)檢測(cè)和控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強(qiáng)計(jì)、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等。它們可檢測(cè)10 - 10~10 - 2 T 的弱磁場(chǎng),靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好, 將成為弱磁場(chǎng)傳感和檢測(cè)的重要器件。

(4) 巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機(jī)制的巨磁電阻(giant magneto - resistance) 磁傳感器。它們呈現(xiàn)出的隨磁場(chǎng)而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤(pán)讀出頭的科技人員的*關(guān)注，已見(jiàn)有5 G字節(jié)的自旋閥頭的設(shè)計(jì)分析的報(bào)導(dǎo)。

(5) 各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力,已研制和生產(chǎn)出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應(yīng)磁傳感器等[4 ] 。發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng)(giant magneto inductive effect) 和巨磁阻抗效應(yīng)(giant magneto - impedance effect) ,比巨磁電阻的響應(yīng)靈敏度高一個(gè)量級(jí),可能做成磁頭,成為高密度磁盤(pán)讀頭的有力競(jìng)爭(zhēng)者。利用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機(jī)械特性,將它們用于磁通門(mén)和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚是分子級(jí)的,這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來(lái)制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的

InSb 和GaAs 元件,在296 K時(shí)為22. 5 V/ T ,靈敏度的溫度系數(shù)也有大的改善,用恒定電流驅(qū)動(dòng)時(shí),為-0. 0084 [%]/ K。用這種材料,除可制造霍爾器件外,還可用以制造磁敏場(chǎng)效應(yīng)管、磁敏電阻器等。在國(guó)外,由于磁傳感器已逐漸被廣泛而大量地使用 。

(6)磁隧道結(jié)。早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結(jié)(MagneticTunnelJunctions，MTJs)(注:MTJs的一般結(jié)構(gòu)為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結(jié)構(gòu))中觀察到了TMR效應(yīng) 。MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合，只需要一個(gè)很小的外磁場(chǎng)即可將其中一個(gè)鐵磁層的磁化方向反向，從而實(shí)現(xiàn)隧穿電阻的巨大變化，故MTJs較金屬多層膜具有高得多的磁場(chǎng)靈敏度。同時(shí)，MTJs這種結(jié)構(gòu)本身電阻率很高、能耗小、性能穩(wěn)定。因此，MTJs無(wú)論是作為讀出磁頭、各類(lèi)傳感器，還是作為磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)，都具有的優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用前景十分看好，引起世界各研究小組的高度重視 。