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不同的體系對(duì)精度的要求不一樣。單體電池OCV曲線及其電壓采集精度要求對(duì)于LMO/LTO電池,單體電壓采集精度只需達(dá)到10mV。對(duì)于LiFePO4/C電池,單體電壓采集精度需要達(dá)到1mV左右。但目前單體電池的電壓采集精度多數(shù)只能達(dá)到5mV。1.2采樣頻率與同步電池系統(tǒng)信號(hào)有多種,而電池管理系統(tǒng)一般為分布式,信號(hào)采集過(guò)程中,不同控制子板信號(hào)會(huì)存在同步問(wèn)題,會(huì)對(duì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)算法產(chǎn)生影響。設(shè)計(jì)BMS時(shí),需要對(duì)信號(hào)的采樣頻率和同步精度提出相應(yīng)的要求。
LDG-MIK升級(jí)款電磁流量計(jì)是根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律進(jìn)行流量測(cè)試的流量計(jì)。電磁流量計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是壓損極小,可測(cè)流量范圍大。流量與流量的比值一般為10:1以上,適用的工業(yè)管徑范圍寬,可達(dá)3m,輸出信號(hào)和被測(cè)流量呈線性,度較高,可測(cè)量電導(dǎo)率≥5μs/cm的酸、堿鹽溶液、水、污水、腐蝕性液體以及泥漿、礦漿、紙漿等流體流量。
測(cè)水的流量計(jì)
WLP(WaferLevelPackaging):晶圓級(jí)封裝,是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過(guò)改進(jìn)和提高的CSP,直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序,之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中,系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等技術(shù),在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中對(duì)以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型,IC制造領(lǐng)域*臺(tái)積電能夠拿下蘋(píng)果A10訂單,其開(kāi)發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒(méi)。