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IGBT模塊電壓：20～30V

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6MBI450U4-120 富士IGBT模塊留意事項(xiàng)：
由于IGBT模塊為MOSFET構(gòu)造，IGBT的柵極經(jīng)過一層氧化膜與發(fā)射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通到達(dá)20～30V。因而因靜電而招致柵極擊穿是IGBT失效的常見緣由之一。

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6MBI450U4-120 富士IGBT模塊實(shí)物圖

6MBI450U4-120富士IGBT模塊

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6MBI450U4-120 富士IGBT模塊實(shí)物圖 6MBI450U4-120富士IGBT模塊

6MBI450U4-120富士IGBT模塊留意事項(xiàng)：

由于IGBT模塊為MOSFET構(gòu)造，IGBT的柵極經(jīng)過一層氧化膜與發(fā)射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通到達(dá)20～30V。因而因靜電而招致柵極擊穿是IGBT失效的常見緣由之一。

因而運(yùn)用中要留意以下幾點(diǎn)：

1.在運(yùn)用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子局部，當(dāng)必需要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地停止放電后，再觸摸;

2.在用導(dǎo)電資料銜接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;

3.盡量在底板良好接地的狀況下操作。

在應(yīng)用中有時(shí)固然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超越柵*額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也能夠抑止振蕩電壓。

此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時(shí)，假如集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在運(yùn)用IGBT的場(chǎng)所，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為避免此類毛病，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在裝置或改換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)非常注重IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊水平。為了減少接觸熱阻，好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。普通散熱片底部裝置有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將招致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)作毛病。

因而對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期停止檢查，普通在散熱片上靠近IGBT模塊的*裝置有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫渡過高時(shí)將報(bào)警或中止IGBT模塊工作。

1.盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)所;

2.普通保管IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)堅(jiān)持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)則為5～35℃，常濕的規(guī)則在45～75%左右。在冬天特別枯燥的地域，需用加濕機(jī)加濕;

3.在溫度發(fā)作急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊外表可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因而IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的*;

4.保管時(shí)，須留意不要在IGBT模塊上堆放重物;

5.裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。

6.檢測(cè)IGBT模塊的的方法。

關(guān)鍵詞：散熱器

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