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朔越防爆科技有限公司
主營產(chǎn)品： LED防爆固定照明燈,三防LED工礦燈,LED移動防爆燈,防爆配電箱配件 |
公司信息
| 參考價 | ￥ 10 |
| 訂貨量 | 1 |
- 型號
- 品牌
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 荊州市
BAD8183防爆吸頂燈12V24V36VLED防爆燈
選擇合適的防爆類型
選擇防爆結構必須適用于危險區(qū)域。什么性質(zhì)的危險區(qū)域就必須采用什么樣的防爆結構。防爆性能是因結構的不而不同，故必須根據(jù)爆炸性物質(zhì)的種類，設備的種類、安裝場所的危險程度等選擇相適應的防爆類型。
??公司始終堅持嚴格的質(zhì)量方針，奉行節(jié)能環(huán)保、綠色照明的設計生產(chǎn)理念，所有產(chǎn)品均選用國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)的原材料。在整個生產(chǎn)過程中嚴格執(zhí)行ISO9001：2008質(zhì)量體系標準進行運作，實行全員、*、全過程的質(zhì)量管理。密切關注照明行業(yè)的發(fā)展和所服務客戶的服務要求，運用較有效的技術、材料和光源，嚴把科學革新思路，以達到產(chǎn)品性能和功能。
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美國Cree公司宣布將旗下LED照明部門以3.1億美元出售
2019年3月15日，美國Cree公司宣布將旗下LED照明部門(Cree Lighting)以3.1億美元出售給美國Ideal Industries公司。Cree出售的業(yè)務包括用于商業(yè)的LED照明燈具和企業(yè)照明解決方案。通過此次業(yè)務剝離，Cree公司繼續(xù)專注化合物半導體射頻和功率應用市場，滿足5G通信和新能源汽車的市場需求。
一、Cree出售LED照明業(yè)務的背景和原因
(一)LED照明市場已成為競爭紅海
一方面，LED照明不再是技術競爭高地。2014年的諾貝爾獎物理學獎頒給了赤崎勇、天野浩和中村修三位科學家，以表彰他們發(fā)明了用于照明的藍色發(fā)光二極管(LED)。氮化鎵(GaN)材料的突破使得LED成為改變?nèi)祟愓彰鞣绞降囊淮胃锩Ｋ{光LED發(fā)明后的20余年里，LED燈的性價比不斷提高，甚至遵循著類似“摩爾定律”的“海茨法則”。當前LED照明的成本已下降了90%以上，發(fā)光效率提升了30倍，使得LED的性能和成本已*照明需求，替代性光源市場滲透率接近50%。LED燈已從技術競爭的高地轉(zhuǎn)為成熟的通用大宗商品。
另一方面，成本控制和市場開拓成為LED照明企業(yè)發(fā)展的核心競爭力。LED制造環(huán)節(jié)趨向標準化和通用化，附加價值越來越低。通用電氣、歐司朗、飛利浦等傳統(tǒng)照明紛紛出售和剝離LED照明業(yè)務。加之早期布局的核心發(fā)明脫離保護年限，掌握芯片制造產(chǎn)能和強大應用市場的中國LED企業(yè)成為行業(yè)的主力。三安光電、華燦光電、木林森、歐普照明等成為代表企業(yè)。根據(jù)CSA的數(shù)據(jù)，2018年我國半導體照明總體產(chǎn)值超過7000億元，芯片產(chǎn)能超過1200萬片/月(折合4英寸)。
(二)Cree在半導體照明市場風光不再
Cree公司曾是LED技術進步的*。依托SiC材料領域的優(yōu)勢，Cree以*的“SiC襯底LED”技術路線，屢屢打破LED照明的發(fā)光效率紀錄。Cree于2015年將LED發(fā)光效率提升至303lm/W，打破了其在2013年創(chuàng)下的276lm/W的紀錄。然而，100-200lm/W的光效已能滿足大部分照明場景需求，高發(fā)光效率并不能繼續(xù)提升產(chǎn)品附加值。加之基于“藍寶石襯底LED”技術路線的LED制造成本持續(xù)下跌，Cree在LED市場的競爭優(yōu)勢日益弱化。公司照明業(yè)務收入近三年來下滑了近40%。2017年，Cree選擇與國內(nèi)三安光電公司成立合資公司，變相讓出了中低功率LED市場。
(三)新興應用市場驅(qū)動化合物半導體產(chǎn)業(yè)成長
除了具有出色的發(fā)光性能，化合物半導體相對Si器件還具有開關速度快、耐電壓高、散熱好等特點，在射頻和功率器件領域擁有更優(yōu)異的性能。
在新能源汽車中，使用SiC功率器件可以使充電裝置體積縮小80%、重量減輕60%、能量損耗降低25%。特斯拉的Model 3車型中已采用SiC MOSFET作為逆變器的開關器件，替代IGBT器件。在移動通信基站中，使用GaN射頻器件可以滿足更高通信頻段下的通信效率，使每座基站可覆蓋的用戶提升2倍，單用戶的數(shù)據(jù)傳輸速率提升10倍。華為公司在4G通信基站中已開始批量使用GaN射頻器件，替代LDMOS器件。此外在光伏、風能、家電等應用市場，SiC和GaN器件也有替代市場空間。
2018年，SiC功率器件市場規(guī)模約為4.5億美元，GaN射頻器件市場規(guī)模約為5億美元，5年后的市場規(guī)模有望分別達到20億美元和10億美元。
四)Cree計劃專注發(fā)展化合物半導體業(yè)務
2015年9月，Cree公司將旗下功率和射頻部門(Power & RF)分拆為獨立的“Wolfspeed”公司。新成立后的Wolfspeed公司是大的SiC襯底材料供應商，是美國用雷達可靠的GaN射頻器件供應商和前三大的SiC功率器件企業(yè)。預計2019年，Wolfspeed公司的銷售額將達到5.9億美元，是2015年分拆時的3.3倍。
