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韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司
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產(chǎn)品型號AT-400
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所 在 地深圳市
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更新時間:2018-09-25 10:25:29瀏覽次數(shù):346次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米"技術(shù),以精確控制方式實現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積
原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術(shù),以精確控制方式實現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。
原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術(shù),以精確控制方式實現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。
原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術(shù),以精確控制方式實現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。
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