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MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀

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更新時間：2024-04-02 17:36:38瀏覽次數(shù)：182次

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束蘊儀器（上海）有限公司

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產(chǎn)品簡介

MDPmap被設(shè)計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù)，如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。

詳細介紹

MDPmap：

單晶和多晶硅片壽命測量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開發(fā)。

特點：

◇ 靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調(diào)查外延層的情況

◇ 測量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm

◇ 壽命范圍：20ns到幾十ms

◇ 污染測定：源于坩堝和設(shè)備的金屬（鐵）污染

◇ 測量能力：從切割好的硅片到加工的樣品

◇ 靈活性：固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)

◇ 可靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可靠性更高，正常運行時間>99%

◇ 重復(fù)性：> 99%

◇ 電阻率：電阻率測繪，無需頻繁校準

技術(shù)規(guī)格:

樣品尺寸	直徑達300mm（標準臺），直徑達450mm（定制），*小為5 x 5mm
壽命測量范圍	20ns至幾十ms以上
電阻率	0.2 - >103Ω·cm，p-型/n-型
樣品材料	硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體及更多材料
可測量的特性	壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dǎo)率
激發(fā)波長	選擇從355nm到1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認)
尺寸規(guī)格	體積：680 x 380 x 450毫米；重量：約65公斤
電源	100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A

細節(jié)：

◇ 用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活測繪工具

◇ MDPmap被設(shè)計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù)，如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。

◇ MDPmap的主要優(yōu)點是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個激光器，用于測量從較低到高的注入水平的壽命，或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項。可以用不同的地圖進行客戶定義的計算，也可以輸出主要數(shù)據(jù)進行進一步評估。對于標準的計量任務(wù)，預(yù)定義的標準只需按下一個按鈕就能進行常規(guī)測量。

附加選項：

◇ 光斑大小的變化

◇ 電阻率測量（晶圓）

◇ 方塊電阻

◇ 背景/偏光

◇ 反射測量（MDP）

◇ 太陽能電池的LBIC（擴散長度測量）

◇ 偏壓MDP

◇ 參考晶圓

◇ 硅的內(nèi)部/外部鐵制圖

◇ 集成加熱臺

◇ 靈活的激光器配置

MDPmap 測量案例：


鈍化多晶硅的壽命圖	多晶硅的鐵污染圖

單晶硅的硼氧圖	單晶硅的缺陷密度圖

碳化硅外延片（＞10μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖（平均壽命τ=0.36μs）

高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖

非鈍化硅外延片（20μm）-少數(shù)載流子壽命mapping圖