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深圳市華科智源科技有限公司


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HUSTEC-5000分立器件測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-5000

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

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更新時(shí)間:2023-04-04 15:03:14瀏覽次數(shù):208次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:79條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:陳經(jīng)理 (銷售)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座,自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。 面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過功能按鍵,系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電......

詳細(xì)介紹


設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座,自動(dòng)補(bǔ)

償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過功能按鍵,系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。

系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口,可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

基礎(chǔ)配置:

技術(shù)參數(shù)

ENJ2005-A型

主極電壓

10mV-2000V

主極電流

100nA-50A

擴(kuò)展電流

100A、200A、400A、500A

電壓分辨率

1mV

電流分辨率

100nA

測(cè)試精度

0.5%+2LSB

測(cè)試速度

0.5mS/參數(shù)

測(cè)試參數(shù):

漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-

系統(tǒng)特征:

● 測(cè)試范圍廣(19大類,27分類)
●升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提高電壓電流,和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A
● 采用脈沖測(cè)試法,脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能,遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試,確保被測(cè)器件不受損壞
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。(主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo),其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大)
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力,便于應(yīng)急處理排除故障
● 二極管極性自動(dòng)判別功能,無需人工操作

系統(tǒng)特征:

IV曲線顯示/局部放大

程序保護(hù)電流/電壓,以防損壞

品種繁多的曲線

可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)

增加線性或?qū)?shù)

可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱

保存和重新導(dǎo)入入口程序

保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象

曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL

曲線程序和數(shù)據(jù)自動(dòng)存入EXCEL

測(cè)試范圍廣(19大類、27分類)

曲線測(cè)試:

ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS / HFE vs. IC

BVCEO,S,R,V vs. IC

BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC

VCESAT vs. IC

VBESAT vs. IC

VBEON vs. IC use VBE test

VCESAT vs. IB at a range of ICVF vs. IF

測(cè)試參數(shù):

漏電參數(shù):IR、 ICBO LCEO/S/X、IDSS/X IDOFF、 IDRM、IRRMICOFF、IDGOICESIGESF、IGESRIEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

擊穿參數(shù):BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM VRRM、 VBBBVR、VD+、VD-BVDGO、BVZBVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益參數(shù):hFE、CTR、gFS

導(dǎo)通參數(shù):VCESATVBESAT、VBEON、 VFVT、VT+、VT- VON、VDSONVDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTHVTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDONVO(Regulator)、Notch = IGT1IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT

保持參數(shù):IHIH+、IH-

鎖定參數(shù):ILIL+、IL-

混合參數(shù):rDSON、gFSInput Regulation、Output Regulation

間接參數(shù):IL

配置規(guī)格:

配置

規(guī)格/環(huán)境

主極電壓

1mV-2000V尺 寸450×570×280(mm)

電壓分辨率

1mV質(zhì) 量35kg

主極電流

0.1nA-50A工作電壓200V-240V

擴(kuò)展電流

100A電源頻率47Hz-63Hz

電流分辨率

0.1nA工作溫度25℃-40℃

測(cè)試精度

0.2%+2LSB通信接口RS232 USB

測(cè)試速度

0.5mS/參數(shù)系統(tǒng)功耗<150w

測(cè)試范圍:

01

二極管 / DIODE

02

晶體管 / NPN型/PNP型

03

J型場(chǎng)效應(yīng)管 / J-FET

04

MOS場(chǎng)效應(yīng)管 / MOS-FET

05

雙向可控硅 / TRIAC

06

可控硅 / SCR

07

絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT

08

硅觸發(fā)可控硅 / STS

09

達(dá)林頓陣列 / DARLINTON

10

光電耦合 / OPTO-COUPLER

11

繼電器 / RELAY

12

穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER

13

三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR

14

光電開關(guān) / OPTO-SWITCH

......其它器件共19大類27分類

電源作所有電子產(chǎn)品的心臟,無處不在 ,據(jù)不統(tǒng)計(jì),電子產(chǎn)品損壞的故障60%源自于電源,但目前電源行業(yè)似乎成了門檻很低的行業(yè),似乎搞清楚幾種典型的 拓?fù)?,知道變壓器怎么繞的就可以做好電源。其實(shí),業(yè)類人士都知道,做一個(gè)好的電源使其輸出5V電壓并不難,難的是做好一個(gè)電源,在不同環(huán)境溫度,不同輸入電壓,不同負(fù)載下工作,滿足各種EMC指標(biāo),散熱良好,具有電路保護(hù)等功能的電源難度就很大了,電源仍然是高技術(shù)難度的行業(yè)。開關(guān)電源核心的整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路,電路保護(hù)功能等都離不開各種晶體管,MOS,IGBT等。

隨著泰克經(jīng)典圖示儀370B停產(chǎn)多年,并淡出人們視線,傳統(tǒng)的圖示儀在精度,量程,可靠性以及可生成曲線種類的局限性,無法編程控制,數(shù)據(jù)沒法回溯,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作復(fù)雜,測(cè)試效率低等多方面的因素,在電源設(shè)計(jì),來料檢驗(yàn)以及失效分析等環(huán)節(jié)有相當(dāng)大額局限性,尤其在高效率精密電源的關(guān)鍵元器件的選型和質(zhì)量管控上更是顯得捉襟見肘;

下面我們來具體了解下 HUSTEC-5000晶體管圖示儀的相關(guān)應(yīng)用:
在電源設(shè)計(jì)階段,工程師們?yōu)榱诉_(dá)成預(yù)定的設(shè)計(jì)目標(biāo),在前期器件選型的過程中會(huì)謹(jǐn)慎的留有余量,并會(huì)持續(xù)關(guān)注器件的真實(shí)反應(yīng)是否和規(guī)格書datesheet上的表述那樣。開關(guān)電源的核心器件離不開各種 開關(guān)管,通常見的是 MOSFET,大功率的 會(huì)用到IGBT,照明電源三極管居多。
我們以MOSFET為例子,下面是用華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀實(shí)測(cè)的一顆 IRF610得到的輸出特性曲線,曲線反應(yīng)了漏源電壓VDS對(duì)Id的影響;


從圖中我們能夠清楚地看到可變電阻區(qū),當(dāng)VDS較小時(shí),ID與VDS呈線性關(guān)系,隨著VGS增加,對(duì)應(yīng)的曲線的斜率也相應(yīng)增大,此時(shí)可以近似看作是一個(gè)可用VGS調(diào)節(jié)的可變電阻。在平常使用過程中,MOSFET作為壓控電阻時(shí)我們比較關(guān)注這段曲線的情況。在飽和區(qū)時(shí)可以看出VDS的增大時(shí)不會(huì)影響到ID,這是我們關(guān)注的的電氣特性。通過曲線特征觀測(cè),工程師就能很明確的了解選用的器件特性如何,給器件選型提供判定的依據(jù)。

RDS(on)也是器件選型中很關(guān)鍵的參數(shù),RDS(on)小的話有利于減少溫升,但這個(gè)參數(shù)不是越小越好,還要考慮電路的驅(qū)動(dòng)能力以及工作頻率。通過HUSTEC-5000可以非常直觀的看到器件RDS(on)與ID之間的關(guān)系,隨著ID的增加RDS(on)會(huì)稍微變大,但是當(dāng)ID達(dá)到一定值之后,RDSON顯著增加,說明這個(gè)階段升溫比較快。如上圖所示。



再看看VGS對(duì)RDS(on)的影響,開始的時(shí)候電阻很大,隨著VGS增大器件導(dǎo)通并保持*的阻值。

另外我們關(guān)注的截止?fàn)顟B(tài)IDSS對(duì)應(yīng)VDS的曲線也很容易實(shí)現(xiàn),一眼就能看到擊穿點(diǎn)的位置。

華科智源科技有限公司 HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀能夠測(cè)試的元器件種類很多,二極管、穩(wěn)壓管、可控硅、光耦、IGBT等等,單一器件的輸出曲線特性種類很豐富,上面僅就MOSFET舉個(gè)例子。更關(guān)鍵的是的曲線是程控的,所有的測(cè)試條件都可以保存為一個(gè)程序,同一個(gè)器件或者同一批次的器件下次再做測(cè)試的時(shí)候,可以直接調(diào)用之前保存的程序,基于Window界面的操作軟件,非常簡(jiǎn)單,只需要完成簡(jiǎn)單的填空就可以。


測(cè)試數(shù)據(jù)可以直接保存在Excel表格里面,以便于進(jìn)一步的分析和處理,如下圖所示。



在測(cè)試指標(biāo)通過,進(jìn)入量產(chǎn)階段,HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀仍然會(huì)有很大的用途,在器件來料檢驗(yàn)階段,實(shí)力雄厚的大廠往往對(duì)品質(zhì)要求非常之嚴(yán)格,格外的注重自身品牌的影響力。雖然選擇的器件是的器件,但是他們的來料檢驗(yàn)還是必要的,有些元器件一級(jí)級(jí)的分很多代理去銷售,代理商之間可能會(huì)相互串貨,不怕一萬就怕萬一,難保會(huì)有緊俏缺貨的時(shí)候,市場(chǎng)又魚龍混雜,打著同樣mark的料,可能身世各不相同。
測(cè)試量大就更要求程序控制,高速自動(dòng)測(cè)試的同時(shí)數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)在EXCEL,良品不良品能夠進(jìn)行自動(dòng)判定。不管是NMOS還是PMOS,還是二三極管,IGBT等等都可以測(cè)試,如下圖所示幾乎規(guī)格書上會(huì)有的所有DC參數(shù)都涵蓋了。

而產(chǎn)品量產(chǎn)階段同樣會(huì)有尋找成本更低并且仍能滿足要求的替代器件的需求。成本的降低會(huì)直接導(dǎo)致利潤的提高,這時(shí)候華科智源 ENJ2005系列晶體管圖示儀能夠通過測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比,來判定新找的器件是能夠有效替代。
HUSTEC-5000系列晶體管圖示儀還有一個(gè)非常有效的應(yīng)用領(lǐng)域,就是失效分析領(lǐng)域,在發(fā)生品質(zhì)事故時(shí),往往需要做失效分析,這是HUSTEC-5000會(huì)成為一個(gè)得力的助手。在一些半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家如銀茂微電子,力特電子等,甚至一些第三方的專門做失效分析的檢測(cè)機(jī)構(gòu),如深圳美信檢測(cè),深圳帆泰檢測(cè)也在使用HUSTEC-5000做檢測(cè),所以它的測(cè)試結(jié)果很有說服力。


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