一、MB芯片
定義：MetalBONding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底、散熱容易。
2：通過(guò)金屬層來(lái)接合(waferbonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。
3:導(dǎo)電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。
4:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
5:尺寸可加大、應(yīng)用于Highpower領(lǐng)域、eg:42milMB
二、GB芯片
定義：GlueBonding(粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC的產(chǎn)品
特點(diǎn)：
1：透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS(AbsorbableSTructure)芯片的2倍以上、藍(lán)寶石襯底類(lèi)似TS芯片的GaP襯底。
2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern
3：亮度方面、其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水準(zhǔn)(8.6mil)
4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
三、TS芯片
定義：transparentstructure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP的產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
1：芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于ASLED
2：信賴(lài)性
3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
4：應(yīng)用廣泛
四、AS芯片
定義：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;
經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力、中國(guó)臺(tái)灣發(fā)光二級(jí)管光電業(yè)界對(duì)于該類(lèi)型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷(xiāo)售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準(zhǔn)、差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與中國(guó)臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等
特點(diǎn)：
1：四元芯片、采用MOVPE工藝制備、亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2：信賴(lài)性?xún)?yōu)良
3：應(yīng)用廣泛
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