用于半導體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號Thermo Scientific

品牌

廠商性質0

所在地

在線詢價收藏產品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：客服查看聯(lián)系方式

更新時間：2023-04-02 14:17:15瀏覽次數：372次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

暫無信息

賽默飛世爾科技（中國）有限公司集團

經營模式：

商鋪產品：2508條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：客服（客服）

詢價 給他留言

產品簡介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)提供的功能，除廣泛的其他大面積 FIB 處理應用外，還能夠實現(xiàn) 10 nm 半導體器件的無損傷延遲和 3D 封裝的高級故障分析。

詳細介紹

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

使用具有高電流 UC+ 單色器技術的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細致的細節(jié)信息。
使用新一代 2.5微安氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進行較高通量和質量相關 3D 表征、橫向切片和微加工。
使用自動搖擺研磨機，可實現(xiàn)高產率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質量 TEM 片晶。
實現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
在常規(guī)和低 k 電介質中，采用專有的 Dx 和 DE 化學物質對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削*的包裝材料。