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順豐報(bào)價(jià)恒流精度較高的電源可用貼片電容1206 106 25v

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產(chǎn)品型號(hào)106 1206 10v

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X7R材質(zhì)電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C到+125°C時(shí)其容量 變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變 化,大約每10年變化1%AC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,

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X7R材質(zhì)電容器

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X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C+125°C時(shí)其容量 變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變 化,大約每10年變化1%AC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。

順豐報(bào)價(jià)恒流精度較高的電源可用貼片電容1206 106 25v

X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接 受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

Z5U材質(zhì)電容器

Z5U電容器稱為通用陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍, 對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在 相同的體積下Z5U電容器有zui大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較 大,它的老化率zui大可達(dá)每10年下降5%。

盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻 (ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用 中。

Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

工作溫度范圍+10°C…+85°C 溫度特性+22% -56%

介質(zhì)損耗zui大4%

Y5V材質(zhì)電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30°C85°C范圍內(nèi)其容量變 化可達(dá)+22%-82%Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7 u F電容器。

Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:

工作溫度范圍-30°C…+85°C 溫度特性+22% —-- -82%

介質(zhì)損耗 zui大 5%

NPO電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時(shí)間、電壓的改變而改變,適用于對(duì)穩(wěn)定性、

可靠性要求較嚴(yán)格的場(chǎng)合,由于電氣性能穩(wěn)定,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高 頻頻段;X7R電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時(shí)間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于 要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10兆周以下的中頻場(chǎng)合;Y5V具有很高的介電系 數(shù),常用于生產(chǎn)小體積,大容量的電容器,其容量隨溫度改變比較明顯,但成本較低,仍廣 泛用于對(duì)容量,損耗要求不高的耦合、濾波、旁路等電路場(chǎng)合.

內(nèi)電極:它與陶瓷介質(zhì)交替疊層,提供電極板正對(duì)面積;

PME-Ag/Pd :主要在X7RY5V中高壓MLCC產(chǎn)品系列中,材料成本高。

BME-Ni:目前大部分產(chǎn)品均為Ni內(nèi)電極,材料成本低,但需要還原氣氛燒結(jié)。

端電極

基層:銅金屬電極或銀金屬電極,與內(nèi)電極相連接,引出容量。

阻擋層:鎳鍍層,熱阻擋作用,可焊的鎳阻擋層能避免焊接時(shí)Sn層熔落。 焊接層:Sn鍍層,提供焊接金屬層。

3. MLCC的設(shè)計(jì)制造 A.材料選用

瓷粉:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素,采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會(huì)存在重大 的質(zhì)量事故隱患。

進(jìn)口:北美中溫?zé)Y(jié)瓷粉、日本高溫?zé)Y(jié)瓷粉均較成熟。

國(guó)產(chǎn)材料:丨類低K值瓷粉較成熟。

球磨配料:分散、混合二步法保證漿料的分散性。

印刷圖形:*的圖形設(shè)計(jì),嚴(yán)格的銀重控制保證產(chǎn)品性能良好*性。

高溫?zé)Y(jié):成熟的燒成工藝,保證瓷體與內(nèi)電極良好共燒。

測(cè)試分選:*的耐壓分選,保證不良品不流到客戶。

4. MLCC的性能

A.常規(guī)電性能

(1)容量與誤差:實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的zui大偏差范圍。一般使用的容 量誤差有:J級(jí)±5%,K級(jí)±10%,M級(jí)±20%。精密電容器的允許誤差較小,而 電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電 阻器的表示方法相同。用字母表示:D級(jí)一±0.5%; F級(jí)一±1%; G級(jí)一±2%; J 級(jí)一±5%; K 級(jí)一±10%; M 級(jí)一±20%。

(2)額定工作電壓:電容器在電路中能夠*穩(wěn)定、可靠工作,所承受的zui大直流 電壓,又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件,耐壓越高,體積越大。

(3)溫度系數(shù):在一定溫度范圍內(nèi),溫度每變化1°C,電容量的相對(duì)變化值。溫度 系數(shù)越小越好。

(4)絕緣電阻(IR):用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在 幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言,絕緣電阻越大 越好,漏電也小。一般C0G>1000QF, X7RY5V>500 QF

(5)損耗(DF):在電場(chǎng)的作用下,電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損 耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。損耗zui為標(biāo)準(zhǔn)的寫法使用百分率寫法例如:COG要求<0.015%; X7R<2.5%; Y5V<3.5% —般地COG  <10*10-4 ; X7R  <250*10-4;Y5V  <500*10-4

(6)頻率特性:電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電 容器,由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小,電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高 而增加。另外,在高頻工作時(shí),電容器的分布參數(shù),如極片電阻、引線和極片間的電 阻、極片的自身電感、引線電感等,都會(huì)影響電容器的性能。所有這些,使得電容器 的使用頻率受到限制。

不同品種的電容器,zui高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型 瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ; 小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ

B.幾個(gè)值得關(guān)注的參數(shù)

TCC:溫度容量特性,注意同為X7R產(chǎn)品其常溫附近的容量穩(wěn)定性不一樣。

ESR:等效串聯(lián)電阻 ESL:等效串聯(lián)電感

Q值:是DF、ESR、ESL的綜合,在高頻電路中加倍關(guān)注。

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