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X7R材質(zhì)電容器

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X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55°C到+125°C時其容量 變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變 化，大約每10年變化1%AC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

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X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接 受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

Z5U材質(zhì)電容器

Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍， 對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在 相同的體積下Z5U電容器有zui大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較 大，它的老化率zui大可達每10年下降5%。

盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL)和等效串聯(lián)電阻 (ESR)低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用 中。

Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下：

工作溫度范圍+10°C…+85°C 溫度特性+22% -56%

介質(zhì)損耗zui大4%

Y5V材質(zhì)電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30°C到85°C范圍內(nèi)其容量變 化可達+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7 u F電容器。

Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下：

工作溫度范圍-30°C…+85°C 溫度特性+22% —-- -82%

介質(zhì)損耗 zui大 5%

NPO電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時間、電壓的改變而改變,適用于對穩(wěn)定性、

可靠性要求較嚴格的場合,由于電氣性能穩(wěn)定,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高 頻頻段;X7R電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于 要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10兆周以下的中頻場合;Y5V具有很高的介電系 數(shù),常用于生產(chǎn)小體積,大容量的電容器,其容量隨溫度改變比較明顯,但成本較低,仍廣 泛用于對容量,損耗要求不高的耦合、濾波、旁路等電路場合.

內(nèi)電極：它與陶瓷介質(zhì)交替疊層，提供電極板正對面積；

PME-Ag/Pd :主要在X7R和Y5V中高壓MLCC產(chǎn)品系列中，材料成本高。

BME-Ni：目前大部分產(chǎn)品均為Ni內(nèi)電極，材料成本低，但需要還原氣氛燒結(jié)。

端電極：

基層：銅金屬電極或銀金屬電極，與內(nèi)電極相連接，引出容量。

阻擋層：鎳鍍層，熱阻擋作用，可焊的鎳阻擋層能避免焊接時Sn層熔落。 焊接層：Sn鍍層，提供焊接金屬層。

3. MLCC的設(shè)計制造 A.材料選用

瓷粉:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素，采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會存在重大 的質(zhì)量事故隱患。

進口：北美中溫燒結(jié)瓷粉、日本高溫燒結(jié)瓷粉均較成熟。

國產(chǎn)材料：丨類低K值瓷粉較成熟。

球磨配料：分散、混合二步法保證漿料的分散性。

印刷圖形：*的圖形設(shè)計，嚴格的銀重控制保證產(chǎn)品性能良好*性。

高溫燒結(jié)：成熟的燒成工藝，保證瓷體與內(nèi)電極良好共燒。

測試分選：*的耐壓分選，保證不良品不流到客戶。

4. MLCC的性能

A.常規(guī)電性能

(1)容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的zui大偏差范圍。一般使用的容 量誤差有：J級±5%，K級±10%，M級±20%。精密電容器的允許誤差較小，而 電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。常用的電容器其精度等級和電 阻器的表示方法相同。用字母表示：D級一±0.5%; F級一±1%; G級一±2%; J 級一±5%; K 級一±10%; M 級一±20%。

(2)額定工作電壓：電容器在電路中能夠*穩(wěn)定、可靠工作，所承受的zui大直流 電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。

(3)溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1°C，電容量的相對變化值。溫度 系數(shù)越小越好。

(4)絕緣電阻(IR):用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在 幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大 越好，漏電也小。一般C0G類>1000QF, X7R和Y5V類>500 QF

(5)損耗(DF)：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損 耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。損耗zui為標準的寫法: 使用百分率寫法例如：COG要求<0.015%; X7R<2.5%; Y5V<3.5% —般地COG 類 <10*10-4 ; X7R 類 <250*10-4;Y5V 類 <500*10-4

(6)頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電 容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高 而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電 阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器 的使用頻率受到限制。

不同品種的電容器，zui高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型 瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ; 小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

B.幾個值得關(guān)注的參數(shù)

TCC：溫度容量特性，注意同為X7R產(chǎn)品其常溫附近的容量穩(wěn)定性不一樣。

ESR：等效串聯(lián)電阻 ESL：等效串聯(lián)電感

Q值：是DF、ESR、ESL的綜合，在高頻電路中加倍關(guān)注。