當(dāng)前位置：北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司>>>>原子層沉積鍍膜設(shè)備

原子層沉積鍍膜設(shè)備

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：于磊查看聯(lián)系方式

更新時間：2017-03-09 17:21:27瀏覽次數(shù)：624次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

暫無信息

北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：79條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：于磊（銷售部經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種前驅(qū)體物種，化學(xué)吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)描述

原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種前驅(qū)體物種，化學(xué)吸附直至表面飽和時就自動終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。

產(chǎn)品規(guī)格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可選配
工作溫度: 100—400攝氏度 (500攝氏度可選)
真空腔體尺寸: 250, 320, 400mm
反應(yīng)腔體: 具有大,中,小三種
反應(yīng)腔體材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驅(qū)體源: 2--4種，可為固體/液體/氣體
樣品載臺: 氣動式移動

14、結(jié)論與展望

A、ALD技術(shù)是目前被半導(dǎo)體工業(yè)采納應(yīng)用的成熟薄膜沉積技術(shù)；B、存在其他的商業(yè)領(lǐng)域；C、ALD在納米技術(shù)領(lǐng)域中存在廣泛的應(yīng)用；D、ALD技術(shù)在光伏產(chǎn)業(yè)擁有*的應(yīng)用潛力；E、ALD生在的表面控制特性使得在三維基體上嚴(yán)格的均勻生長薄膜成為可能性。

其他推薦產(chǎn)品更多>>